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$5000vishay SQJ402EP-T1_GE3
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SQJ402EP-T1_GE3
Datenblatt: SQJ402EP-T1_GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-SO-8-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SQJ402EP-T1_GE3 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Funktionen
- Ultra Low RDS(on)
- High Efficiency Ratio
- Ruggedized against Noise
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Tradename: | TrenchFET |
| Series: | SQ | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Vishay Semiconductors | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 7 ns | Forward Transconductance - Min: | 54 S |
| Height: | 1.04 mm | Length: | 6.15 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 10 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns | Width: | 5.13 mm |
| Unit Weight: | 0.017870 oz |
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SQJ402EP-T1_GE3 chip is an advanced power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is suitable for use in various electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops. This chip offers low on-resistance and a small form factor, making it efficient and space-saving. It provides reliable performance for demanding applications, contributing to overall system efficiency and improved power management.
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Features
The features of SQJ402EP-T1_GE3 include an N-channel enhancement mode power MOSFET, low on-resistance, high power density, high speed switching, low gate charge, low reverse recovery time, and small package size. -
Manufacturer
The manufacturer of the SQJ402EP-T1_GE3 is Rohm Semiconductor. It is a Japanese company that specializes in the development and manufacture of electronic components, including semiconductors, integrated circuits, and power devices. -
Application Field
The SQJ402EP-T1_GE3 is a power MOSFET device designed for use in various applications such as power supplies, motor control, lighting, and automotive systems. It can handle high voltage and current levels efficiently, making it suitable for a wide range of electronic equipment and industrial applications. -
Package
The SQJ402EP-T1_GE3 chip is available in a PowerPAK SO-8 package type. Its form factor is Surface Mount. The package dimensions are approximately 5mm x 6mm.
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