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vishay SIR638DP-T1-GE3
Designed for power-centric applications, this N-channel MOSFET offers a 40V voltage threshold and can handle currents up to 100A
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SIR638DP-T1-GE3
Datenblatt: SIR638DP-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-SO-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,436 | $0,436 |
| 10 | $0,428 | $4,280 |
| 30 | $0,421 | $12,630 |
| 100 | $0,416 | $41,600 |
Auf Lager: 9.458 Stck
SIR638DP-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
The SIR638DP-T1-GE3 is a cutting-edge 60V N-channel MOSFET that boasts impressive specifications for power management applications. With a drain-to-source voltage of 60V and a continuous drain current of 34A, this MOSFET can handle high power loads with ease. Its ultra-low on-resistance of 6.9mΩ at 10V gate-to-source voltage ensures minimal power losses, making it a top choice for efficiency-focused projects
Funktionen
- Enhanced reliability
- Reduced power loss
- Efficient usage
Anwendung
- Efficient power management systems
- Industrial LED lighting solutions
- Compact voltage regulators
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V | Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 880 uOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 16 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.3 V | Qg - Gate Charge | 204 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 104 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET, PowerPAK | Series | SIR |
| Brand | Vishay / Siliconix | Configuration | Single |
| Fall Time | 10 ns | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 21 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time | 52 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SIR638DP-T1-GE3 chip is a power MOSFET designed by Vishay. It features a low on-resistance and a small form factor package. This chip is suitable for various power management applications, including battery chargers, power supplies, and DC-DC converters. It offers high efficiency and reliability, making it an ideal choice for different electronic devices.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the SIR638DP-T1-GE3 chip. However, similar alternative options include SIR577DP-T1-GE3 and SIR662DP-T1-GE3 chips, which offer comparable features and specifications. -
Features
The SIR638DP-T1-GE3 features a low on-resistance, high-speed switch, and a small package. It is designed for use in various applications, including load switching and DC-DC converters, to enhance system efficiency and reliability. Additionally, it offers excellent thermal performance, which helps to minimize power losses and optimize power conversion. -
Pinout
The SIR638DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 6. It is commonly used for power management and load switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SIR638DP-T1-GE3 is Vishay Intertechnology. It is a global company that designs, manufactures, and supplies discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of industries including automotive, telecommunications, consumer electronics, and more. -
Application Field
The SIR638DP-T1-GE3 is a high-speed switching diode commonly used in applications such as voltage clamping, high-speed switching circuits, and RF generators. Its small form factor and high-speed characteristics make it suitable for compact electronic devices and communications equipment. -
Package
The SIR638DP-T1-GE3 chip has a package type of DPAK-2 and a package form of Q-Outline. The dimensions of the package are approximately 6.73mm x 6.57mm x 2.72mm, making it a relatively small-sized chip.
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