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vishay SI4840BDY-T1-E3 48HRS

Single N-Channel 40 V 9 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SI4840BDY-T1-E3

Datenblatt: SI4840BDY-T1-E3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOIC-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 1.923 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,902 $0,902
10 $0,766 $7,660
30 $0,698 $20,940
100 $0,630 $63,000
500 $0,590 $295,000
1000 $0,570 $570,000

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SI4840BDY-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12.4A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:6W; Power Dissipation Pd:2.5W; Rise Time:150ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V

SI4840BDY-T1-E3

Funktionen

  • TrenchFET® power MOSFET
  • 100 % Rg and UIS tested
  • SI4840BDY-T1-E3

    Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Product Category MOSFET RoHS Details
    REACH Details Technology Si
    Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOIC-8
    Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 19 A
    Rds On - Drain-Source Resistance 9 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 50 nC
    Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
    Pd - Power Dissipation 6 W Channel Mode Enhancement
    Tradename TrenchFET Series SI4
    Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
    Fall Time 10 ns Forward Transconductance - Min 56 S
    Height 1.75 mm Length 4.9 mm
    Product Type MOSFET Rise Time 15 ns
    Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
    Typical Turn-On Delay Time 10 ns Width 3.9 mm
    Part # Aliases SI4840BDY-E3

    Versand

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    Verpackung

    • Produkt

      Schritt1 :Produkt

    • Vakuumverpackung

      Schritt2 :Vakuumverpackung

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      Schritt4 :Individuelle Verpackung

    • Verpackungskartons

      Schritt5 :Verpackungskartons

    • Barcode-Versandetikett

      Schritt6 :Barcode-Versandetikett

    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

    Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

    Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

    • ESD
    • ESD

    Teilpunkte

    • The SI4840BDY-T1-E3 is a radio receiver IC designed for AM/FM reception. It features digital tuning, AGC, and demodulation functions. The chip also includes a built-in audio amplifier for driving speakers. This versatile and compact IC is commonly used in portable radios and other consumer electronics applications.
    • Equivalent

      Possible equivalent products of SI4840BDY-T1-E3 chip are SI4842BDY-T1-E3, SI4844BDY-T1-E3, and SI4846BDY-T1-E3. These are all n-channel MOSFET transistors with similar specifications and features, making them suitable replacements for each other in various applications.
    • Features

      1. Single-chip AM/FM radio receiver IC. 2. Incorporates an advanced DSP core for improved performance. 3. Provides high sensitivity and selectivity with automatic gain control. 4. Supports worldwide FM broadcast bands. 5. Small form factor with low power consumption. 6. Integrated analog and digital audio outputs for easy interfacing.
    • Pinout

      The SI4840BDY-T1-E3 is a dual N-channel power MOSFET with 8 pins. Pin functions are: 1. Gate 1 2. Source 1 3. Drain 1 4. Source 2 5. Drain 2 6. Pin 6 not connected 7. Pin 7 not connected 8. Pin 8 GND.
    • Manufacturer

      The manufacturer of the SI4840BDY-T1-E3 is Vishay Semiconductors. It is a global company specializing in the design and manufacture of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Semiconductors provides components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications.
    • Application Field

      The SI4840BDY-T1-E3 is a power MOSFET that is commonly used in applications such as battery protection circuits, power management systems, and switching regulators. Its high efficiency and low on-state resistance make it ideal for use in various power management applications where high performance and reliability are required.
    • Package

      The SI4840BDY-T1-E3 chip comes in a SOIC-8 package, in the form of a surface-mount integrated circuit. The size of the chip is 4.9mm x 3.9mm.

    Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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      Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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      Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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      Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

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