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$5000IXFH26N50Q
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFH26N50Q
Datenblatt: IXFH26N50Q Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.149 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH26N50Q Allgemeine Beschreibung
Introducing the advanced IXFH26N50Q Power MOSFET from the Q-Class series, designed for high-performance applications where efficiency and reliability are key. With its low gate charge and robust construction, this HiPerFET™ device is ideal for both hard switching and resonant mode operations, delivering exceptional performance in a range of industrial settings. Whether you're looking for a MOSFET with a fast intrinsic diode or superior ruggedness, the IXFH26N50Q has you covered
Funktionen
- High-voltage withstand capability
- Ruggedized gate oxide structure
- Robust inductorless startup
Anwendung
- High efficiency
- Versatile applications
- Cutting-edge design
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™ | Package | Tube |
| Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 13A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) | Package / Case | TO-247-3 |
| Base Product Number | IXFH26 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFH26N50Q is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-speed, high-voltage switching applications. It operates at a voltage of 500V and can handle a continuous current of 26A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
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Equivalent
Equivalent products of IXFH26N50Q chip include Infineon's IXFH20N50Q, IXFH22N50Q, and IXFH30N50Q. These are also MOSFET transistors with similar specifications and functionality. -
Features
IXFH26N50Q is a 500V, 26A, Q-Class HiPerFET power MOSFET with a low RDS(on) of 0.13 ohms. It is designed for high performance applications, offers low switching losses, fast switching speeds, and high frequency operation. It also has a rugged and reliable design for demanding industrial and power conversion applications. -
Pinout
The IXFH26N50Q is a 3-pin TO-247 package IGBT transistor with a pin count of 3, including gate, collector, and emitter pins. The function of this transistor is to act as a high voltage, high-speed switch used in power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies. -
Manufacturer
The IXFH26N50Q is manufactured by IXYS Corporation, a company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors used in a variety of industries including telecommunications, industrial, medical, and consumer electronics. Their products are known for their reliability and efficiency in power conversion applications. -
Application Field
The IXFH26N50Q is a high power N-channel IGBT used in various power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies. It is also suitable for industrial and commercial applications where high efficiency, fast switching, and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXFH26N50Q chip comes in a TO-247 package. It is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a standard through-hole form and a size of approximately 20.32mm x 9.91mm x 4.32mm.
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