Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

IXFA22N65X2 48HRS

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: IXYS

Herstellerteil #: IXFA22N65X2

Datenblatt: IXFA22N65X2 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-263HV

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.662 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $3,657 $3,657
10 $3,578 $35,780
30 $3,523 $105,690
100 $3,470 $347,000

Auf Lager: 7.662 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für IXFA22N65X2 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

IXFA22N65X2 Allgemeine Beschreibung

Product IXFA22N65X2 is a cutting-edge innovation in the field of power electronics. Through utilizing the charge compensation principle and a proprietary process technology, this device boasts unrivaled performance characteristics. With the lowest on-state resistances on the market, along with low gate charges and superior dv/dt performance, it sets a new standard for efficiency and reliability

IXFA22N65X2

Funktionen

  • High surge current
  • Low gate charge Qg
  • Fast turn-off time
  • Easy to mount

Anwendung

  • Advanced battery chargers
  • Smart PFC circuits
  • Precision servo control

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer IXYS Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TO-263-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V Id - Continuous Drain Current 22 A
Rds On - Drain-Source Resistance 160 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.7 V Qg - Gate Charge 38 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 360 W Channel Mode Enhancement
Tradename HiPerFET Series 650V Ultra Junction X2
Brand IXYS Configuration Single
Fall Time 10 ns Forward Transconductance - Min 8 S
Product Type MOSFET Rise Time 35 ns
Factory Pack Quantity 50 Subcategory MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time 33 ns Typical Turn-On Delay Time 38 ns
Unit Weight 0.139332 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • IXFA22N65X2 chip is a power MOSFET transistor fabricated using advanced silicon trench technology. It offers low on-resistance, high current capability, and excellent switching performance for applications in power supplies, motor control, and other high-voltage applications. This chip provides improved efficiency and reliability while reducing power losses and overheating.
  • Features

    The IXFA22N65X2 is a high voltage MOSFET transistor with a breakdown voltage of 650V. It has a maximum continuous drain current of 22A and a low on-state resistance. This transistor is designed for various high power applications, including power supplies, motor control, and automotive systems.
  • Pinout

    The IXFA22N65X2 is a power MOSFET. It has a pin count of 7, and its main function is to control the flow of electrical current in a power system. It is commonly used in various applications such as motor drives, power supplies, and inverters.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IXFA22N65X2 is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of electronic components and systems.
  • Application Field

    The IXFA22N65X2 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications, including power supplies, motor control, high-frequency inverters, and welding machines. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for demanding industrial or automotive applications that require efficient power conversion and control.
  • Package

    The IXFA22N65X2 chip is in a TO-247 package, with the form of a transistor. The size, or dimensions, of the package are 20.3mm x 15.49mm x 5.41mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...