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$5000IXFH26N60Q
Compact and efficient for high-reliability design
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFH26N60Q
Datenblatt: IXFH26N60Q Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH26N60Q Allgemeine Beschreibung
The IXFH26N60Q, belonging to the esteemed Q-Class series, is a leading Power MOSFET known for its outstanding performance in hard switching and resonant mode applications. Its low gate charge and excellent ruggedness, coupled with a fast intrinsic diode, make it a popular choice for industrial use. Furthermore, the availability of this device in a variety of standard industrial packages, including isolated types, further contributes to its widespread appeal and utility across different industrial settings
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Funktionen
- Enhanced Conduction Path
- Rapid Recovery Time
- Superior Heat Dissipation
- Reliable Performance
Anwendung
- Efficient power
- Compact design
- Reliable performance
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 360 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HyperFET | Series: | IXFH26N60 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 16 ns |
Forward Transconductance - Min: | 22 S | Height: | 21.46 mm |
Length: | 16.26 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 32 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Width: | 5.3 mm |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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IXFH26N60Q chip is a power MOSFET semiconductor device used in various high-power applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching speed. The chip can handle high voltage and current levels efficiently, making it suitable for power supplies, motor drives, and industrial controls. Its robust construction and thermal management capabilities make it reliable for demanding applications.
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Equivalent
Equivalent products of the IXFH26N60Q chip include the STW18N60M2, STB26N60MQ, PSMN2R9-60YMS, and IPP60R280P6XKSA1. These devices have similar specifications and functionalities to the IXFH26N60Q chip. -
Features
The IXFH26N60Q is a power MOSFET with a voltage rating of 600V and a current rating of 26A. It offers low on-resistance, fast switching capability, and high avalanche ruggedness. The device is suitable for use in various power applications, such as switch mode power supplies, motor control systems, and electronic ballasts. -
Pinout
The IXFH26N60Q is a MOSFET transistor with 4 pins. The pins are used for different functions: pin 1 is for the gate, pin 2 is for the source, pin 3 is for the drain, and pin 4 is for the body/diode. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IXFH26N60Q. It is a German semiconductor manufacturing company that focuses on power semiconductors and system solutions. -
Application Field
The IXFH26N60Q is a power MOSFET commonly used in applications such as switch mode power supplies, UPS systems, motor controls, and welding equipment. -
Package
The IXFH26N60Q chip is packaged in a TO-247 form, which is a through-hole package type. The package size of this chip is relatively larger compared to other surface-mount packages.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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