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$5000C2M1000170D
Description: N-Channel MOSFET
Marken: Wolfspeed
Herstellerteil #: C2M1000170D
Datenblatt: C2M1000170D Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.597 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $6,969 | $6,969 |
10 | $6,174 | $61,740 |
30 | $5,689 | $170,670 |
100 | $5,283 | $528,300 |
Auf Lager: 6.597 Stck
C2M1000170D Allgemeine Beschreibung
N-Channel 1700 V 4.9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-247-3
Funktionen
- High Speed Operation
- Low Power Consumption
- Rapid Recovery Time
- Safe Operating Temperature
- Precise Voltage Regulation
- Reduced EMI Interference
Anwendung
- Power up!
- Control all!
- Light it up!
- Battery boost
- Temp check
- Sense it all
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.7 kV | Id - Continuous Drain Current | 4.9 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 5 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | Qg - Gate Charge | 13 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 69 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | Wolfspeed | Configuration | Single |
Fall Time | 9 ns | Forward Transconductance - Min | 0.82 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 46 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The C2M1000170D chip is a high-performance silicon carbide power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage. It is designed for use in high-power applications such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial drives. The chip offers improved efficiency and reliability compared to traditional silicon-based power devices.
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Equivalent
The equivalent products of C2M1000170D chip are Infineon Technologies CoolSiC MOSFETs, Cree Wolfspeed C2M MOSFETs, and ON Semiconductor SCT3xxxK series MOSFETs. These chips are suitable for high power applications due to their low switching losses and high efficiency. -
Features
C2M1000170D is a silicon carbide power MOSFET module with a maximum drain-source voltage of 1700V, a continuous drain current of 100A, and a package type of module. It has a low on-resistance, high switching speed, high temperature capability, and high thermal conductivity, making it suitable for high-power applications. -
Pinout
The C2M1000170D is a 1700V, 2 ohm silicon carbide MOSFET with a TO247-3 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the switching of the MOSFET, while the Drain and Source pins handle the flow of current. -
Manufacturer
C2M1000170D is manufactured by Cree, Inc. Cree is an American multinational manufacturer of lighting-class LEDs, lighting products, and semiconductor products for power and radio-frequency (RF) applications. They are known for their advancements in LED technology and are a leading provider of LED lighting solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and commercial lighting. -
Application Field
The C2M1000170D MOSFET is commonly used in high-power applications such as automotive, industrial, and renewable energy systems. It is suitable for applications requiring high efficiency, fast switching, and high reliability, making it ideal for inverters, motor drives, power supplies, and solar inverters. -
Package
The C2M1000170D chip is available in a TO-247-3 package, a single form of die packaging, and a size of 10.50mm x 4.60mm, suitable for power electronic applications requiring high efficiency and reliability.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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