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C2M1000170J-TR
Silicon carbide MOSFET with 1700V rating and 1 Ohm RDS ON
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marken: Wolfspeed, Inc.
Herstellerteil #: C2M1000170J-TR
Datenblatt: C2M1000170J-TR Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263-7
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.881 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $6,082 | $6,082 |
10 | $5,340 | $53,400 |
30 | $4,888 | $146,640 |
100 | $4,508 | $450,800 |
Auf Lager: 6.881 Stck
C2M1000170J-TR Allgemeine Beschreibung
Renowned for its unparalleled performance, the C2M1000170J-TR silicon carbide power MOSFET is a stellar creation by Wolfspeed, a Cree Company. Ideal for high-efficiency power conversion applications, such as motor drives, UPS systems, and renewable energy inverters, this MOSFET is setting new benchmarks in the industry. With a voltage rating of 1700V and a continuous current rating of 100A, it is specifically tailored to cater to the demands of high-power applications. Its low on-resistance of 0.070 ohms works wonders in mitigating power losses and enhancing the overall system efficiency. Equipped with a TO-247-4 package, it delivers exceptional thermal performance and provides hassle-free mounting onto a heatsink for efficient heat dissipation. Not to mention, the C2M1000170J-TR exhibits a fast switching speed and high avalanche ruggedness, ensuring unwavering reliability and robustness across diverse operating conditions
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | Wolfspeed, Inc. |
Series | C2M™ | Package | Tape & Reel (TR) |
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 20V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 20 V | Vgs (Max) | +25V, -10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 1000 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263-7 |
Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Versand
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