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IXFH22N65X2
650V TO-247 package N-channel transistor
Marken: IXYS CORP
Herstellerteil #: IXFH22N65X2
Datenblatt: IXFH22N65X2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247 (IXTH)
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.671 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $4,428 | $4,428 |
| 10 | $4,120 | $41,200 |
| 30 | $3,934 | $118,020 |
| 90 | $3,777 | $339,930 |
Auf Lager: 5.671 Stck
IXFH22N65X2 Allgemeine Beschreibung
IXFH22N65X2's Ultra-Junction MOSFETs come with a fast soft-recovery body diode, which contributes to reducing switching losses and electromagnetic interference (EMI). This feature makes them an ideal choice for applications where minimizing EMI is crucial. The combination of advanced technology and performance-enhancing features makes IXFH22N65X2 a standout product in the industry
Funktionen
- Ultra-low power consumption
- High-density packaging
- Easy integration
- Simplified thermal management
Anwendung
- Cost-effective inverters
- Efficient PFC circuits
- Precision servo systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Transferred |
| Ihs Manufacturer | IXYS CORP | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | JESD-609 Code | e3 |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFH22N65X2 chip is a power MOSFET integrated circuit designed for high voltage applications. It offers low on-resistance, high efficiency, and fast switching capabilities. The chip is commonly used in power supplies, motor control circuits, and other high-power electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of the IXFH22N65X2 chip are the IXFH22N60X2, IXFK44N60X2, and IXFN50N120X2 chips. -
Features
The IXFH22N65X2 is a high-speed, high-frequency IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for use in power electronics applications. It offers low conduction and switching losses, high current capability, and a wide temperature range. With its advanced technology, it is optimized for efficient and reliable performance in various power systems and motor drives. -
Pinout
The IXFH22N65X2 is a power MOSFET. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The gate pin controls the switching action, the drain pin carries the output current, and the source pin connects to the common ground. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFH22N65X2 is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a multinational semiconductor manufacturer primarily focused on power management solutions, microcontrollers, and sensors. They provide a wide range of semiconductor products and system solutions for various industries including automotive, industrial, and telecommunications. -
Application Field
The IXFH22N65X2 is a high-performance power MOSFET designed specifically for applications such as resonant mode power supplies, LLC converters, telecom infrastructure, and industrial applications. -
Package
The IXFH22N65X2 chip is housed in a TO-247 package, featuring a through-hole mounting type. The size dimensions for this chip are approximately 16.51mm x 10.92mm x 5.08mm (L x W x H).
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