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$5000IXTX210P10T
Ultra-low RDS(on) and high current handling capacity
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTX210P10T
Datenblatt: IXTX210P10T Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTX210P10T Allgemeine Beschreibung
With the IXTX210P10T P-Channel MOSFET, designers can streamline their high side switching applications by employing a straightforward drive circuit referenced to ground. This innovative approach eliminates the need for extra high side driver circuitry, reducing both complexity and component count. By integrating a complementary power output stage with an N-Channel MOSFET, a power half bridge stage can be effectively designed, further enhancing the efficiency and simplicity of the overall system
Funktionen
- Advanced packaging
- Improved reliability
- Extended temperature range
Anwendung
- Cost-effective solution
- Energy-efficient operation
- Long-lasting durability
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 210 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 15 V, + 15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 740 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 kW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchP | Series: | IXTX210P10 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 55 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 90 S | Height: | 21.34 mm |
| Length: | 16.13 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 98 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Type: | TrenchP Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 165 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 90 ns |
| Width: | 5.21 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXTX210P10T chip is a high-performance power transistor that is designed for use in industrial applications. It offers a high power rating and a low on-resistance, allowing it to handle large amounts of current with minimal heat dissipation. This chip is commonly used in motor control, power supplies, and other applications where efficient power handling is essential.
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Features
The IXTX210P10T features a single-channel, high-voltage gate driver that is capable of driving devices up to 1200V. It offers low power consumption, integrated protection features, and a wide range of input and output voltage. Additionally, it has a compact package design, making it suitable for various industrial applications. -
Pinout
The IXTX210P10T is a power semiconductor device with 3 pins, serving as a high voltage IGBT transistor. The pins are for the collector, emitter, and gate, respectively. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXTX210P10T is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets power semiconductors, mixed-signal integrated circuits, and more. -
Application Field
The IXTX210P10T is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as industrial automation, motor control, power supplies, and automotive systems. Its high efficiency and low on-resistance make it suitable for high-power applications where reliability and thermal performance are important. -
Package
The IXTX210P10T chip is available in the BGA package type with a form factor of 35mm x 35mm.
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