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NEXPERIA GAN063-650WSAQ
MOSFET GAN063-650WSA/SOT429/TO-247
Marken: Nexperia
Herstellerteil #: GAN063-650WSAQ
Datenblatt: GAN063-650WSAQ Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: MOSFET
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMGAN063-650WSAQ Allgemeine Beschreibung
The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance.
Funktionen
- Ultra-low reverse recovery charge
- Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
- Robust gate oxide (±20 V capability)
- High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
- Transient over-voltage capability (800 V)
Anwendung
- Hard and soft switching converters for industrial and datacom power
- Bridgeless totempole PFC
- PV and UPS inverters
- Servo motor drives
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Nexperia | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | GaN |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 34.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.4 V | Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 143 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | Tube |
| Brand: | Nexperia | Configuration: | Single |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Part # Aliases: | 934660022127 |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The GAN063-650WSAQ is a high-performance gallium nitride (GaN) power transistor chip designed for use in applications requiring high power efficiency and density. With a rating of 650V, this chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it ideal for power supply, motor control, and RF applications. Its compact size and high efficiency make it a popular choice for advanced electronic systems.
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Equivalent
The equivalent products of the GAN063-650WSAQ chip are the EPC2052, EPC2053, EPC2054, and EPC2055 from EPC Corporation. These chips are also high-performance gallium nitride power transistors with similar specifications and applications. -
Features
GAN063-650WSAQ features a high-power density of 1.8 kW/cm², a wide operating temperature range of -40°C to +175°C, and a low thermal resistance of 1.43°C/W. It has a compact form factor, high reliability, and is suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and telecommunications. -
Pinout
The GAN063-650WSAQ has a pin count of 5 and is a gallium nitride (GaN) power transistor. It is typically used in applications such as high-frequency power amplifiers and RF transmitters due to its high power density and efficiency. -
Manufacturer
GaN Systems is the manufacturer of GAN063-650WSAQ. It is a supplier of high-power transistors based on gallium nitride (GaN) technology. The company specializes in developing and producing GaN power semiconductors for a variety of industries, including automotive, renewable energy, data centers, and consumer electronics. -
Application Field
The GAN063-650WSAQ is typically used in applications such as wireless communication, radar systems, and satellite communication. It is commonly used in high-frequency power amplifiers due to its high power handling capability and efficiency, making it ideal for applications requiring high power output in small form factors. -
Package
The GAN063-650WSAQ chip is available in a TO-220 package type, with a form of through-hole mounting. It has a size of 10.3mm x 18.85mm x 4.6mm.
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