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$5000NEXPERIA PSMN015-100B
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Marken: nexperia
Herstellerteil #: PSMN015-100B
Datenblatt: PSMN015-100B Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 1.600 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PSMN015-100B Allgemeine Beschreibung
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Funktionen
- Low conduction losses due to low on-state resistance
- Rated for avalanche ruggedness
Anwendung
- DC-to-DC convertors
- Switched-mode power supplies
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | D2PAK-3 | Brand | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The PSMN015-100B is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip. It is specifically designed for use in high-power applications, offering a low on-resistance for efficient power handling. The chip's electrical and thermal characteristics make it suitable for various applications such as motor control, power supplies, and lighting systems.
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Equivalent
The equivalent products of PSMN015-100B chip are IRF3710, NTMFS4128N, PSMN040-100B, and SIHP24N60E. -
Features
The PSMN015-100B is a power MOSFET with a low on-state resistance, making it suitable for high current applications. It has a voltage rating of 100V, allowing it to handle high voltage requirements with ease. This MOSFET offers fast switching speed and excellent thermal performance, making it ideal for power conversion applications. -
Pinout
The PSMN015-100B is a power transistor with a TO-220AB package. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin is used to control the conductivity of the transistor, while the Drain and Source pins are responsible for the flow of current. -
Manufacturer
The manufacturer of the PSMN015-100B is NXP Semiconductors. NXP is a global semiconductor company that specializes in the design and production of high-performance electronic components, including microcontrollers, chips, and system solutions. -
Application Field
The PSMN015-100B is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. It is designed to handle high currents and voltage levels, making it suitable for various industrial and automotive applications that require efficient power management and switching capabilities. -
Package
The PSMN015-100B chip is packaged in a TO-220AB form. The package size is approximately 10.4mm x 16mm x 4.7mm.
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