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$5000NEXPERIA PMV32UP,215
P-Channel 20 V 4A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
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Marken: NEXPERIA
Herstellerteil #: PMV32UP,215
Datenblatt: PMV32UP,215 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-236AB
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.240 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PMV32UP,215 Allgemeine Beschreibung
The PMV32UP,215 is a top-of-the-line, cutting-edge dual-channel MOSFET driver that sets itself apart from the competition with its exceptional performance and versatility. With the ability to effortlessly drive two independent half-bridge power stages, this driver is the perfect choice for a wide range of power management applications. Whether you're working on motor drives, solar inverters, or UPS systems, the PMV32UP,215 has you covered
![PMV32UP,215 PMV32UP,215](/files/uploads/product/b/99cc71abce3f4deab78606659feed1eb.webp)
Funktionen
- Advanced power conversion for solar energy systems
- High-efficiency operation with low heat generation
- Rapid thermal response for high-speed switching
- Durable construction for reliable operation in harsh environments
Anwendung
- Microcontroller interface
- DC motor controller
- Temperature sensor
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Source Content uid | PMV32UP,215 | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | NEXPERIA | Part Package Code | TO-236 |
Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.75 | Date Of Intro | 2017-02-01 |
Samacsys Manufacturer | Nexperia | Application | SWITCHING |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-236AB | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Element Material | SILICON | Product Status | Active |
FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±8V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 510mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-236AB |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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PMV32UP is a high-voltage power MOSFET chip produced by Nexperia. The chip incorporates excellent performance ratings and low on-state resistance, making it suitable for applications where efficiency and power density are important. With a maximum voltage rating of 215V, it is designed to handle high-voltage systems.
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Pinout
The PMV32UP,215 is a P-channel MOSFET transistor. The pin count is 3 (source, drain, and gate). It is used for switching and amplification purposes in electronic circuits. -
Application Field
The PMV32UP,215 is a power metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designed for various high-voltage applications including power supplies, motor drives, industrial equipment, and automotive systems. Its low on-state resistance and high voltage capacity make it suitable for efficient power control and switching in these applications. -
Package
The package type of the PMV32UP,215 chip is SOT-23, the form is Surface Mount, and the size is 2.9mm x 1.3mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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