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$5000NEXPERIA BUK768R3-60E
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Marken: NEXPERIA
Herstellerteil #: BUK768R3-60E
Datenblatt: BUK768R3-60E Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.843 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ovaga hat einen großen Vorrat an BUK768R3-60E Single FETs, MOSFETs von NEXPERIA und wir garantieren, dass es sich um originale, brandneue Teile handelt, die direkt bezogen wurden von NEXPERIA Wir können Qualitätsprüfberichte für bereitstellen BUK768R3-60E auf Ihre Anfrage hin. Um ein Angebot zu erhalten, geben Sie einfach die erforderliche Menge, den Kontaktnamen und die E-Mail-Adresse in das Schnellangebotsformular auf der rechten Seite ein. Unser Vertriebsmitarbeiter wird sich innerhalb von 12 Stunden mit Ihnen in Verbindung setzen.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BUK768R3-60E | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 86 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
| Drain Current-Max (ID) | 75 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0083 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 349 A | Reference Standard | AEC-Q101; IEC-60134 |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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BUK768R3-60E is a chip designed for power management applications. It is a power MOSFET device that can handle high currents and voltages up to 60V. The chip offers low on-resistance, high efficiency, and excellent thermal performance. It is commonly used in various industrial and consumer electronics applications such as motor control, power supplies, and LED lighting.
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Features
The BUK768R3-60E is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a high voltage rating of 600V, a maximum drain current of 14A, and low gate charge for fast switching applications. It has a compact TO-220 package and is suitable for a wide range of high power switching applications. -
Pinout
The BUK768R3-60E is a power transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is designed for high switching speeds and can handle continuous currents up to 60A. Its main function is to control and switch high-power loads in various electronic applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the BUK768R3-60E is NXP Semiconductors. It is a Dutch global semiconductor manufacturer that provides a wide range of semiconductor products and solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and more. -
Application Field
The BUK768R3-60E is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as motor control, power supplies, and inverters. It is suitable for high current and high voltage applications and is designed for low on-resistance and high switching speed. -
Package
The BUK768R3-60E chip is available in a TO-263-7L package. It has a form factor of Surface Mount and its size is approximately 9.90mm x 12.65mm x 3.40mm.
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