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IXFH34N65X2
Reliable and A operation in through-hole packag
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFH34N65X2
Datenblatt: IXFH34N65X2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.140 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $5,315 | $5,315 |
| 10 | $4,657 | $46,570 |
| 30 | $4,266 | $127,980 |
| 100 | $3,870 | $387,000 |
| 500 | $3,207 | $1603,500 |
| 1000 | $3,124 | $3124,000 |
Auf Lager: 7.140 Stck
IXFH34N65X2 Allgemeine Beschreibung
At the heart of its design lies a commitment to efficiency and power optimization. The low on-resistance of 36mΩ ensures minimal power losses, while the gate charge of 56nC facilitates swift and efficient switching operations. Such meticulous attention to detail empowers the IXFH34N65X2 to excel in demanding high-power circuits, where efficiency is paramount
Funktionen
- Superior thermal conductivity
- Low self-inductance
- Robust construction
Anwendung
- High-speed gate driver
- Industrial applications
- Low saturation voltage
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™, Ultra X2 | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 17A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3330 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 540W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) | Package / Case | TO-247-3 |
| Base Product Number | IXFH34 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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