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ZXMP6A13FTA
Product ZXMP6A13FTA is a P-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of -60V and a continuous drain current of -1.1A
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: ZXMP6A13FTA
Datenblatt: ZXMP6A13FTA Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9066 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,277 | $1,385 |
| 50 | $0,227 | $11,350 |
| 150 | $0,205 | $30,750 |
| 500 | $0,178 | $89,000 |
| 3000 | $0,146 | $438,000 |
| 6000 | $0,140 | $840,000 |
In Stock:9066 PCS
ZXMP6A13FTA Allgemeine Beschreibung
Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1 (Unlimited) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount MOSFET (Metal Oxide) P-Channel Tape & Reel (TR) 400m Ω @ 900mA, 10V 900mA Ta -55°C~150°C TJ MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Funktionen
Description:The ZXMP6A13FTA is a single P-channel MOSFET with a maximum drain current of 1.1 A and a maximum drain-source voltage of 60 V. It is housed in a SOT-23-3 package and has a maximum power dissipation of 625 mW.Features:• Maximum drain current of 1.1 A• Maximum drain-source voltage of 60 V• Maximum power dissipation of 625 mW• SOT-23-3 package• Operating temperature range of -55°C to +125°CApplications:The ZXMP6A13FTA is suitable for a wide range of applications, including power management, load switching, and signal switching. It is commonly used in consumer electronics, automotive, and industrial applications.Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1.1 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 5.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 806 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Series | ZXMP6A |
| Brand | Diodes Incorporated | Configuration | Single |
| Fall Time | 5.7 ns | Forward Transconductance - Min | 1.8 S |
| Height | 1.02 mm | Length | 3.04 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 2.2 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 11.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 1.6 ns | Width | 1.4 mm |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The ZXMP6A13FTA chip is a high-performance, low-resistance power MOSFET ideal for power management applications. It offers a high voltage rating and low on-state resistance for efficient power delivery. With its compact size and high reliability, the ZXMP6A13FTA chip is suitable for a wide range of electronic devices and systems.
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Equivalent
Possible equivalent products of the ZXMP6A13FTA chip include the Infineon IPT007N06N, Fairchild FDMS7692, and ON Semiconductor NTMFS4C08N. These are all MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. Integrated multi-rate OTN transponder 2. Supports up to 400 Gb/s per port 3. Content-aware GPS asynchronous mapping 4. Supports small form-factor pluggable (SFP) interfaces 5. Carrier-grade reliability and performance 6. Highly configurable for various network topologies and applications. -
Pinout
The ZXMP6A13FTA is a dual N-channel enhancement mode power MOSFET with a pin count of 8. It is commonly used for power management applications and has a maximum drain-source voltage of 30V. This MOSFET is designed to control voltage regulation in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the ZXMP6A13FTA is Diodes Incorporated. Diodes Incorporated is a global supplier of high-quality application-specific standard products within the broad discrete, logic, analog, and mixed-signal semiconductor markets. They provide products for a wide range of industries including automotive, communication, consumer, and industrial. -
Application Field
The ZXMP6A13FTA is used in various applications such as power management, voltage regulation, and switching in electronic devices such as laptops, smartphones, tablets, and other portable electronics. It is also used in automotive electronics, industrial controls, and other power supply applications that require high efficiency and reliability. -
Package
The ZXMP6A13FTA chip comes in a TO-92 package, which is a small through-hole transistor package. The form of the chip is a single-channel N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). The size of the chip is relatively small, with dimensions typically around 4.6mm x 4.6mm x 3.5mm.
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