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ST STW70N60DM2
N-channel power MOSFET with a maximum voltage of 600V and current of 66A, enclosed in a TO-247 casing
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STW70N60DM2
Datenblatt: STW70N60DM2 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.663 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $5,924 | $5,924 |
| 10 | $5,191 | $51,910 |
| 30 | $4,742 | $142,260 |
| 100 | $4,368 | $436,800 |
Auf Lager: 3.663 Stck
STW70N60DM2 Allgemeine Beschreibung
With the STW70N60DM2, engineers can rest assured that they are getting a high-performance component that can meet the rigorous demands of modern power systems. Its advanced technology ensures efficient power conversion and allows for optimal performance in various configurations
Funktionen
- Robust surge withstand capability
- Highly reliable operation
- Minimized thermal resistance
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| ECCN US | EAR99 | ECCN EU | NEC |
| Packing Type | Tube | RoHs compliant | Ecopack2 |
| Grade | Industrial |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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STW70N60DM2 is a power MOSFET chip designed for applications requiring high-efficiency switching. It has a low on-resistance and high current rating, enabling high power density designs. The chip offers reliable performance and advanced features such as low gate charge and improved switching characteristics. Overall, STW70N60DM2 is suitable for various power electronic systems requiring efficient and low-power consumption operation.
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Equivalent
There are several equivalent products to the STW70N60DM2 chip, including STW70N60DM, IRFP460, IRFP4668, IRFP4668PbF, and IRFG4668PBF. -
Features
STW70N60DM2 is a 600V N-channel Power MOSFET. It features a low on-resistance, high switching capability, and low gate charge. It has an advanced PowerMESH Technology, which ensures high energy efficiency and reduced power dissipation. It is suitable for various applications like SMPS, battery chargers, and motor control. -
Pinout
The STW70N60DM2 is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the STW70N60DM2 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets a wide range of semiconductor products, including power transistors like the STW70N60DM2. STMicroelectronics serves various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The STW70N60DM2 is a high-voltage, N-channel power MOSFET primarily used in applications that require switching power devices with high efficiency and reliability. It can be used in various areas such as switch-mode power supplies, motor control, solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and industrial automation. -
Package
The STW70N60DM2 chip comes in a package type known as TO-247. It has a standard single device form and measures approximately 20mm x 4.5mm x 5.5mm in size.
Datenblatt PDF
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