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$5000ST STF11NM60ND
High-power transistor for demanding applications
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STF11NM60ND
Datenblatt: STF11NM60ND Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.433 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STF11NM60ND Allgemeine Beschreibung
With an impressive Rds(on) test voltage of 10V, this MOSFET provides reliable and stable performance in a wide range of operating conditions. It is housed in a TO 220FP package, which offers excellent thermal performance and easy mounting on a PCB. This N-channel MOSFET is suitable for use in a variety of applications, including motor control, power supplies, and lighting systems
Funktionen
- Microcontroller-based motor controller
- Solar power inverter technology
- Artificial intelligence processor
Anwendung
- Power supply switching
- LED driver applications
- Industrial motor control
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 30 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | FDmesh |
| Series | STF11NM60ND | Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.5 S | Height | 9.3 mm |
| Length | 10.4 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Width | 4.6 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den STF11NM60ND Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : IRFP460
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : FQPF11N60
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRF840
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : STF10NK60Z
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : STP11NM60FP
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : HUF75652G3
Marken :
Paket : TO-247
Beschreibung : 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET,MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET
Artikelnummer : STF13NM60N
Marken :
Paket : TO-220F
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
Artikelnummer : 2SK3024
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : BSC047N06NS3G
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Teilpunkte
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The STF11NM60ND is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers a low on-resistance and high breakdown voltage, making it ideal for use in power supplies, motor control, and lighting applications. The chip is compact and efficient, making it a popular choice for a range of electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of STF11NM60ND chip are FDPF11N60NZ, STF13N60MD, and FFPF13N60NT. These are all power MOSFETs with similar specifications and applications, suitable for use in various electronic devices and power systems. -
Features
The STF11NM60ND is a N-channel Power MOSFET featuring low on-state resistance, high switching speed, low gate charge, and high avalanche ruggedness. It is designed for high-performance applications in power supplies, motor control, and lighting. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 11A. -
Pinout
The STF11NM60ND is a MOSFET transistor with a 3-pin D2PAK package. Pin 1 is the source, Pin 2 is the gate, and Pin 3 is the drain. The function of the MOSFET is to control the flow of current between the source and drain terminals using the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
STF11NM60ND is manufactured by STMicroelectronics, a global semiconductor company that designs and produces a wide range of integrated circuits and solutions for various industries including automotive, industrial, communications, and consumer electronics. STMicroelectronics is a leading company in the semiconductor industry, known for its innovative technologies and high-quality products. -
Application Field
The STF11NM60ND is a high-voltage N-channel Power MOSFET commonly used in applications such as switch-mode power supplies, motor control, lighting ballasts, and automotive systems. It is suitable for use in voltage regulation, power distribution, and DC-DC conversion circuits due to its high efficiency, low on-resistance, and high avalanche ruggedness. -
Package
The STF11NM60ND chip comes in a TO-220 package type with a through hole mounting form, and its size is 10.3mm x 4.5mm x 17.0mm.
Datenblatt PDF
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