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ST STW43NM60ND
STW43NM60ND is an N-Channel power MOSFET with a 600 V rating and 88 mΩ on-resistance in a TO-247 package
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STW43NM60ND
Datenblatt: STW43NM60ND Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.545 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $4,192 | $4,192 |
| 10 | $3,678 | $36,780 |
| 30 | $3,373 | $101,190 |
| 100 | $3,063 | $306,300 |
| 500 | $2,921 | $1460,500 |
| 1000 | $2,858 | $2858,000 |
Auf Lager: 2.545 Stck
STW43NM60ND Allgemeine Beschreibung
Featuring a N Channel design, the STW43NM60ND MOSFET offers a high drain source voltage of 600V and a continuous drain current of 35A, making it ideal for various power applications. The low on resistance of 0.075ohm and threshold voltage of 4V ensure efficient operation and reliable performance under different operating conditions. With a power dissipation of 255W and an operating temperature range from -55°C to +150°C, this transistor is suitable for demanding environments where high power handling capabilities are essential. The TO-247 case style provides easy mounting and heat dissipation for optimal performance, while the absence of SVHC substances ensures environmental compliance and safety
Funktionen
- High-speed switching capability
- Low noise and high efficiency
- Rugged and reliable performance
- Compact size and low profile
- Ergonomic design for easy handling
- Fast recovery time for reduced stress
Anwendung
- High power applications
- Compact size
- Low switching losses
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 35 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 88 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 255 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | FDmesh |
| Series | STW43NM60ND | Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single | Fall Time | 50 ns |
| Height | 20.15 mm | Length | 15.75 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 40 ns |
| Factory Pack Quantity | 600 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 120 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns | Width | 5.15 mm |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Äquivalente Teile
Für den STW43NM60ND Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : STW40N60M2
Marken :
Paket : TO-247-3
Beschreibung : Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Artikelnummer : IRFP460
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRFPG50
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : AOTF60SM60N
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : FGA60N65SMD
Marken :
Paket : TO-3P
Beschreibung : IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
Artikelnummer : IPP60R099CPXKSA1
Marken :
Paket : TO-220-3
Beschreibung : N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V CoolMOS CP, 3-Pin TO-220 Infineon
Artikelnummer : IXTH39N60AU1
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : 1MBI600U4B-120
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Teilpunkte
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The STW43NM60ND is a power MOSFET semiconductor chip commonly used in various electronic applications, such as power supplies, motor drives, and lighting systems. It has a high voltage rating of 600V and a high current handling capability. The chip offers low on-resistance and excellent thermal performance, making it suitable for high-power applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the STW43NM60ND chip include the IRF540N, the STB55NF06L, and the FQP47P06. -
Features
STW43NM60ND is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 43A. It has an RDS(on) of 0.025 ohms, making it suitable for high-efficiency applications. This device also features a fast switching performance and low gate charge, enhancing its overall performance. -
Pinout
The STW43NM60ND is a power MOSFET with a TO-247 package. It has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the MOSFET, the Drain pin is the high-side power terminal, and the Source pin is the low-side power terminal. -
Manufacturer
The manufacturer of the STW43NM60ND is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company headquartered in Switzerland. -
Application Field
The STW43NM60ND is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that can be used in various applications such as motor control, power supplies, lighting, and industrial automation. It provides high voltage and current capabilities, making it suitable for these applications.
Datenblatt PDF
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