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$5000ST STW18NK80Z
N-Channel Transistor MOSFET with 800V Voltage Rating, 19A Current Rating, TO-247 Package
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STW18NK80Z
Datenblatt: STW18NK80Z Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.277 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STW18NK80Z Allgemeine Beschreibung
Built for high performance and reliability, the STW18NK80Z is a top-of-the-line N-channel Power MOSFET designed to meet the demands of high power applications. Its 800V maximum drain-source voltage and 18A continuous drain current make it ideal for a variety of industrial and automotive uses. The MOSFET's low on-resistance of 0.3 ohms minimizes power losses and improves overall efficiency in power conversion circuits, while its high di/dt capability allows for fast switching speeds, enhancing performance in applications where switching frequency is critical. With a TO-247 package, the STW18NK80Z offers high thermal performance and reliability, making it suitable for demanding operating conditions. It also features avalanche ruggedness, ensuring long-term reliability in harsh environments
Funktionen
- Enhanced immunity to latch-up
- Precise temperature compensation
- Consistent performance at high frequencies
Anwendung
- Reliable for motor control
- Ideal for lighting systems
- Advanced telecommunication
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Id - Continuous Drain Current | 19 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 350 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | STW18NK80Z |
| Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
| Fall Time | 32 ns | Height | 20.15 mm |
| Length | 15.75 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 32 ns | Factory Pack Quantity | 30 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 140 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 46 ns | Width | 5.15 mm |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den STW18NK80Z Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : IRFP4868PBF
Marken :
Paket : TO-247AC
Beschreibung : N-Channel MOSFET, 70 A, 300 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC Infineon
Artikelnummer : FQA18N80C
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IXFK18N80P
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IPP18CN10N
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : TK18N80X
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Teilpunkte
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The STW18NK80Z is a power MOSFET transistor designed for high voltage and high power applications. It has a maximum voltage rating of 800V and a current rating of 18A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and inverters due to its high efficiency and low on-resistance.
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Equivalent
The equivalent products of STW18NK80Z chip include STW18N80K5, STW18N80K5-EP, STW18NC80Z, IRFP460, IRFP250, IRFP350, IRFP450, and IRFP240. These are all power MOSFET transistors designed for high current and voltage applications in various electronics devices. -
Features
1. N-channel Power MOSFET 2. 800V breakdown voltage 3. 12A continuous drain current 4. Low on-resistance (180 mΩ) 5. Fast switching performance 6. High avalanche ruggedness 7. Suitable for high voltage applications 8. RoHS compliant package (Note: The information provided is based on the datasheet of STW18NK80Z) -
Pinout
The STW18NK80Z is an 800V N-channel MOSFET with a TO-247 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The pinout is as follows: G (pin 1), S (pin 2), and D (pin 3). The function of the MOSFET is to switch high power loads in various power applications. -
Manufacturer
STMicroelectronics is the manufacturer of the STW18NK80Z. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of products, including discrete and integrated circuits for various industries such as automotive, industrial, personal electronics, and telecommunications. -
Application Field
The STW18NK80Z is primarily used in applications such as automotive powertrain, lighting, and small electric vehicle systems. Its features, including high power efficiency and low RDS(on) resistance, make it suitable for power switching and amplification in various electronic devices and industrial applications. -
Package
The STW18NK80Z chip comes in a TO-247 package type, with a through-hole mounting style. It measures approximately 15.5mm x 3.5mm x 21mm.
Datenblatt PDF
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