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Infineon IRFP4868PBF 48HRS

Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: IRFP4868PBF

Datenblatt: IRFP4868PBF Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-247AC

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3092 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $4,643 $4,643
10 $4,052 $40,520
25 $3,701 $92,525
75 $3,346 $250,950
525 $2,955 $1551,375
975 $2,882 $2809,950

In Stock:3092 PCS

- +

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IRFP4868PBF Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 300V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

irfp4868pbf

Funktionen

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 10 V gate-drive voltage (called normal level)
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Targeted for high power density

Anwendung

  • SMPS
  • UPS
  • Solar power inverter
  • DC motor drives

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Source Content uid IRFP4868PBF
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Not Recommended
Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG Package Description ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 14 Weeks Samacsys Manufacturer Infineon
Application SWITCHING Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247AC JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Element Material SILICON

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
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Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRFP4868PBF is a power MOSFET chip with a low on-resistance and high current capability. It is designed for use in various power applications, such as power supplies, motor control, and audio amplifiers. With its high voltage rating and efficient performance, it is suitable for demanding industrial and automotive applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IRFP4868PBF chip include the IRFP4868 MOSFET, IRFP4868PBFHEXFET Power MOSFET, and the IRFP4868PBFSEMICOND INTEG. These products have similar features and can be used as alternatives in various applications.
  • Features

    The IRFP4868PBF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of 150V and a continuous drain current of 120A. It has a low on-resistance and high switching speed, making it suitable for high power applications such as motor control and power supply circuits.
  • Pinout

    The IRFP4868PBF is a MOSFET transistor. It has a pin count of 3 and the function of each pin is as follows: - Pin 1: Gate (G) - Pin 2: Drain (D) - Pin 3: Source (S) These pins control the flow of current through the transistor and are used in various electronic applications.
  • Manufacturer

    The IRFP4868PBF is manufactured by Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of power semiconductors and system solutions.
  • Application Field

    The IRFP4868PBF is a power MOSFET commonly used in various applications, including power supplies, motor drives, and inverters. It is designed for high power and high voltage handling, making it suitable for equipment that requires efficient power control and switching capabilities.
  • Package

    The IRFP4868PBF is a power MOSFET chip with a TO-247AC package type. It is available in a standard industry form and has a size of approximately 16.51mm x 10.67mm x 4.57mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IRFP4868PBF PDF Herunterladen

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