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Infineon IRFH5010TRPBF 48HRS

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: IRFH5010TRPBF

Datenblatt: IRFH5010TRPBF Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PQFN-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2677 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,420 $1,420
10 $1,213 $12,130
30 $1,083 $32,490
100 $0,951 $95,100
500 $0,802 $401,000
1000 $0,776 $776,000

In Stock:2677 PCS

- +

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IRFH5010TRPBF Allgemeine Beschreibung

MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:3.6W

Funktionen

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage
  • Industry standard surface-mount power package

Anwendung

  • SMPS
  • UPS
  • Solar power inverter
  • DC motor drives
  • Battery powered applications

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRFH5010TRPBF is a power MOSFET chip designed for high efficiency and compact DC-DC power conversion applications. It offers a low on-resistance and operates at a high switching frequency, making it suitable for applications where size, weight, and power efficiency are critical. The chip is commonly used in power supplies, battery management systems, and motor drives.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IRFH5010TRPBF chip are: IRFH5010TR2PBF, IRFH5010TRPBF-RC, and IRFH5010TRPBF-RC7. These chips are intended for use in similar applications and share similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    The features of IRFH5010TRPBF include a maximum drain-source voltage of 100V, a low on-resistance of 9.6mΩ, a maximum drain current of 53A, and a compact package size. It is a power MOSFET designed for various applications requiring high efficiency and robust performance.
  • Pinout

    The IRFH5010TRPBF is a power MOSFET transistor with an integrated Schottky diode. It comes in a PQFN package with 8 pins. The pinout or function of each pin includes gate (G), drain (D), source (S), and Schottky diode (SD).
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRFH5010TRPBF is International Rectifier. It is a semiconductor company that specializes in power management technology, producing a range of products including power MOSFETs, IGBTs, LED drivers, and more. International Rectifier is now part of Infineon Technologies, a global provider of semiconductor solutions for automotive, industrial, and power applications.
  • Application Field

    The IRFH5010TRPBF is a power MOSFET used in various applications such as synchronous rectification, power supplies, motor drives, and battery charging. It can also be utilized in telecom, industrial, and automotive sectors where high efficiency, low conduction and switching losses, and high power density are required.
  • Package

    The IRFH5010TRPBF chip has a package type of Power 56 MOSFET and a form factor of surface mount. Its size measures 10.48mm x 11.18mm x 2.3mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IRFH5010TRPBF PDF Herunterladen

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