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Infineon BSC350N20NSFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: BSC350N20NSFDATMA1

Datenblatt: BSC350N20NSFDATMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3932 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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BSC350N20NSFDATMA1 Allgemeine Beschreibung

New OptiMOS Fast Diode (FD), Infineons latest generation of power MOSFETs in 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. The new devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter. | Summary of Features: Improved hard commutation ruggedness; Optimized hard switching behavior; Industrys lowest R ds(on), Q g and Q rr; RoHS compliant - halogen free | Benefits: Highest system reliability; System cost reduction; Highest efficiency and power density; Easy-to-design products | Target Applications: Telecom; Class D audio amplifier; Motor control for 48-110V systems; Industrial power supplies; DC-AC inverter

Funktionen

  • Improved hard commutation ruggedness
  • Optimized hard switching behavior
  • Industry’s lowest R ds(on), Q g and Q rr
  • RoHS compliant - halogen free
  • Highest system reliability
  • System cost reduction
  • Highest efficiency and power density
  • Easy-to-design products

Anwendung

  • Telecom
  • Class D audio amplifier
  • Motor control  for 48-110V systems
  • Industrial power supplies
  • DC-AC inverter

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TDSON-8
Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Id - Continuous Drain Current: 35 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 31 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 30 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 150 W Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement Tradename: OptiMOS
Packaging: Reel Series: OptiMOS Fast Diode
Transistor Type: 1 N-Channel Brand: Infineon Technologies
Forward Transconductance - Min: 29 S Fall Time: 4.8 ns
Product Type: MOSFET Rise Time: 4.8 ns
Factory Pack Quantity: 5000 Subcategory: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns Typical Turn-On Delay Time: 8 ns
Part # Aliases: BSC350N20NSFD SP001108124 Tags BSC3, BSC
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
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Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC350N20NSFDATMA1 chip is a power MOSFET designed for efficient power management in various applications such as industrial, automotive, and consumer electronics. It offers low on-resistance and high power density, improving system performance and energy efficiency. With its advanced features and robust design, the BSC350N20NSFDATMA1 chip is an ideal choice for modern power management solutions.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC350N20NSFDATMA1 chip are the AOT352M and the AOT352MN.
  • Features

    The BSC350N20NSFDATMA1 is a N-channel power MOSFET transistor designed with low on-resistance and high current capability. It has a voltage rating of 200V and a maximum continuous drain current of 175A. This transistor is suitable for a wide range of applications requiring high power and efficiency.
  • Pinout

    The BSC350N20NSFDATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The pin functions are: 1. Gate: Controls the on/off state of the transistor. 2. Source: Provides the return path for the current flow. 3. Drain: Connects to the load and allows current to flow when the transistor is on.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSC350N20NSFDATMA1 is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer that specializes in the design and production of a wide range of semiconductor products like power management, sensors, automotive electronics, and industrial automation.
  • Application Field

    The BSC350N20NSFDATMA1 is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas such as motor control, power supplies, switched-mode power supplies, and automotive systems. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for applications that require efficient power switching and control.
  • Package

    The BSC350N20NSFDATMA1 chip is available in a TO-252 (DPAK) package type. It has a form factor of a discrete package with three leads, and its size is approximately 6.6mm x 10.52mm.

Datenblatt PDF

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