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Infineon BSC220N20NSFDATMA1

With a gate threshold voltage of 4V at 137uA, product BSC220N20NSFDATMA1 is suitable for a variety of electronic applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSC220N20NSFDATMA1

Datenblatt: BSC220N20NSFDATMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-TSON-8

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3465 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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BSC220N20NSFDATMA1 Allgemeine Beschreibung

BSC220N20NSFDATMA1 is a Silicon Carbide (SiC) power module designed for high-speed switching applications. It features a half-bridge topology with a 20A current rating and a 1200V voltage rating, making it suitable for a wide range of power electronics applications. The module incorporates advanced SiC MOSFET technology, which offers lower losses, higher efficiency, and better thermal performance compared to traditional silicon-based power devices. This allows for higher power density and reduced cooling requirements, making it ideal for space-constrained and high-temperature environments.The BSC220N20NSFDATMA1 module is housed in a compact and rugged package, featuring low parasitic inductances for improved switching performance. It also includes built-in gate drivers and protection features such as under-voltage lockout and over-current protection, simplifying system design and increasing reliability.

bsc220n20nsfdatma1

Funktionen

  • Power MOSFET with 220A rated current
  • 200V Drain-source voltage
  • N-channel type
  • SuperFREDMesh technology for high efficiency
  • Resistance to soft body diode
  • Low junction capacitance for faster switching speeds
  • TO-247 package for easy mounting
  • Integrated temperature sensor for thermal management

Anwendung

  • Electric vehicles
  • Solar inverters
  • Industrial motor control
  • Battery management systems
  • Power supplies
  • Renewable energy systems
  • Rail transportation
  • Wind turbines
  • UPS (uninterruptible power supplies)
  • Electric grid infrastructure

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 FL msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr Y75 productClassification ASP
productStatusInfo active hfgr A
packageName PG-TSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP001795096
fourBlockPackageName PG-TSON-8-3 rohsCompliant yes
opn BSC220N20NSFDATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP001795096

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC220N20NSFDATMA1 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications where efficiency and reliability are critical.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC220N20NSFDATMA1 chip are Infineon IPW220N20S3-2 and STMicroelectronics STN2NF20. These are power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics, suitable for applications that require high power handling and efficiency.
  • Features

    BSC220N20NSFDATMA1 is a enhancement mode N-channel IGBT with a high voltage rating of 200V, a current rating of 220A, and a fast switching speed. It has low conduction and switching losses, making it ideal for high power applications such as motor control and inverters.
  • Pinout

    The BSC220N20NSFDATMA1 is a MOSFET transistor with a pin count of 4. The functions of the pins are gate (G), drain (D), source (S), and body (B). The transistor is designed for use in switching and amplification applications in electronic circuits.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC220N20NSFDATMA1. They are a semiconductor company that specializes in power and sensor systems, automotive electronics, and industrial applications. Infineon Technologies is a global company with a focus on innovation and sustainability in the technology industry.
  • Application Field

    The BSC220N20NSFDATMA1 is a dual N-channel power MOSFET designed for use in high power applications such as power supplies, motor control, and high frequency inverters. It is capable of handling high voltage and current levels, making it suitable for demanding industrial and automotive applications.
  • Package

    The BSC220N20NSFDATMA1 chip is a D2PAK package type with a N-channel MOSFET form, measuring 10.3mm x 15.65mm x 4.6mm in size.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation BSC220N20NSFDATMA1 PDF Herunterladen

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