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Infineon IPD600N25N3GATMA1
250V, 25A N-Channel MOSFET in TO252-3 package configuration
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IPD600N25N3GATMA1
Datenblatt: IPD600N25N3GATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TO252-3
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2248 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMIPD600N25N3GATMA1 Allgemeine Beschreibung
The IPD600N25N3GATMA1 is a N-channel power MOSFET produced by Infineon Technologies. It features a high drain current rating of 600A and a low on-resistance of 25mΩ, making it ideal for high-power applications such as motor control and power supplies.This MOSFET has a voltage rating of 30V, allowing it to handle high voltage loads with ease. It also has a gate threshold voltage of 2.5V, making it suitable for interfacing with low voltage control signals.The IPD600N25N3GATMA1 is designed for efficient power conversion, with a fast switching speed and low losses. This makes it a great choice for applications that require high efficiency and minimal heat generation.In terms of packaging, this MOSFET comes in a TO-252 package, which is a surface-mount package that is easy to work with and provides good thermal performance.
Funktionen
- 600V Drain-Source Voltage
- 25A Drain Current
- 3.1mΩ RDS(ON) Maximum Resistance
- Enhancement Mode
- Advanced ThinQ Technology
- N-Channel MOSFET
- TO-252-3 Package
Anwendung
- Automotive electric powertrain systems
- Industrial motor control applications
- Switched-mode power supplies
- DC-DC converters
- Robotics and automation systems
- Renewable energy systems
- Battery management systems
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Solar inverters
- Electric vehicle charging systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | DPAK | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | N70 | productClassification | ASP |
| productStatusInfo | active and preferred | hfgr | A |
| packageName | PG-TO252-3 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001127834 |
| fourBlockPackageName | PG-TO252-3-313 | rohsCompliant | yes |
| opn | IPD600N25N3GATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001127834 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The IPD600N25N3GATMA1 chip is a high-performance power MOSFET designed for use in various applications, such as power supplies and motor control. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-frequency operation. Additionally, it has a compact size and efficient performance, making it an ideal choice for space-constrained designs.
-
Features
The IPD600N25N3GATMA1 is a power MOSFET with a rugged design and low on-state resistance. It offers high performance and improved efficiency in applications that require switching frequencies up to 100kHz. This MOSFET also has a built-in gate-to-source voltage (VGS) protection, making it reliable and safe to use. -
Pinout
The IPD600N25N3GATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of these pins include the gate (G), drain (D), and source (S). -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD600N25N3GATMA1 is Infineon Technologies AG. Infineon is a multinational semiconductor manufacturer that engages in the production of a wide range of semiconductor products for various industries, including automotive, industrial, chip card, and power management. -
Application Field
The IPD600N25N3GATMA1 is a high-performance power MOSFET designed for various applications, including power supplies, motor control, and automotive systems. It features a low on-resistance, high efficiency, and excellent switching performance, making it suitable for use in a wide range of industrial and consumer electronic devices. -
Package
The IPD600N25N3GATMA1 chip is packaged in a D²PAK form with a size of 10mm x 11mm (3.3mm height).
Datenblatt PDF
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