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Infineon BSZ096N10LS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSZ096N10LS5ATMA1
Datenblatt: BSZ096N10LS5ATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TSDSON-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3277 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,351 | $1,351 |
| 200 | $0,523 | $104,600 |
| 500 | $0,505 | $252,500 |
| 1000 | $0,497 | $497,000 |
In Stock:3277 PCS
BSZ096N10LS5ATMA1 Allgemeine Beschreibung
Infineon's new logic level OptiMOS 5 power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The new devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers. | Summary of Features: Low R DS(on) in small package; Low gate charge; Lower output charge; Logic level compatibility | Benefits: Higher power density designs; Higher switching frequency; Reduced parts count wherever 5V supplies are available; Driven directly from microcontrollers (slow switching); System cost reduction | Target Applications: Wireless charging; Adapter; Telecom
Funktionen
- Low R DS(on) in small package
- Low gate charge
- Lower output charge
- Logic level compatibility
- Higher power density designs
- Higher switching frequency
- Reduced parts count wherever 5V supplies are available
- Driven directly from microcontrollers (slow switching)
- System cost reduction
Anwendung
- Wireless charging
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSDSON-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.6 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Packaging: | Reel | Height: | 1.1 mm |
| Length: | 3.3 mm | Series: | OptiMOS 5 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Width: | 3.3 mm |
| Brand: | Infineon Technologies | Forward Transconductance - Min: | 22 S |
| Development Kit: | EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7 | Fall Time: | 5.3 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 4.6 ns |
| Factory Pack Quantity: | 5000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 5.7 ns |
| Part # Aliases: | BSZ096N10LS5 SP001352994 | Unit Weight: | 0.001295 oz |
| Tags | BSZ09, BSZ0, BSZ | RHoS | yes |
| PBFree | yes |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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BSZ096N10LS5ATMA1 is a power transistor chip designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and LED lighting. It features a low on-state resistance, high current rating, and low gate charge for improved efficiency and performance. The chip is part of the SuperFET® MOSFET family from Infineon Technologies.
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Equivalent
Equivalent products of BSZ096N10LS5ATMA1 chip are BSZ096N10LS5ATMA1A, BSZ097N10LS5ATMA1, BSZ098N10LS5ATMA1, BSZ099N10LS5ATMA1, BSZ100N10LS5ATMA1, and BSZ101N10LS5ATMA1. These are all similar chips with varying specifications that can be used interchangeably in different applications. -
Features
BSZ096N10LS5ATMA1 is a N-channel 100V Power MOSFET with a low RDS(on) of 9.6mΩ and a high current rating of 76A, making it suitable for high power applications. It also features a TO-220 package with a D2PAK footprint, enhancing thermal performance and ease of mounting. -
Pinout
The BSZ096N10LS5ATMA1 is a single N-channel 100V MOSFET transistor with a power package. It has 5 pins (Gate, Source, Drain, and two body diode pins). Pin functions include Gate (input), Source (ground), Drain (output), and body pins (connection to the internal body diodes). -
Manufacturer
The manufacturer of the BSZ096N10LS5ATMA1 is Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company specializing in designing and producing high-performance semiconductors for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their innovative products and technology solutions. -
Application Field
The BSZ096N10LS5ATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in automotive applications such as power steering systems, electric pumps, and motor control. It is also used in industrial applications for power management, battery protection, and DC-DC converters due to its high efficiency and low power dissipation characteristics. -
Package
The BSZ096N10LS5ATMA1 chip comes in a Power-SO8 package type and is in a surface-mount form. It has a size of 5mm x 6mm.
Datenblatt PDF
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