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ON FQB22P10TM

P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: FQB22P10TM

Datenblatt: FQB22P10TM Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: D2PAK

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3060 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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FQB22P10TM Allgemeine Beschreibung

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Funktionen

  • -22A, -100V, RDS(on) =125mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -11A
  • Low gate charge ( Typ.40nC)
  • Low Crss ( Typ. 160pF)
  • 100% avalanche tested
  • 175°C maximum junction temperature rating

Anwendung

  • Other Industrial

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Active CAD Models
Compliance PbAHP Package Type D2PAK-3 / TO-263-2
Case Outline 418AJ MSL Type 1
MSL Temp (°C) 245 Container Type REEL
Container Qty. 800 ON Target Y
Channel Polarity P-Channel Configuration Single
V(BR)DSS Min (V) -100 VGS Max (V) ±30
VGS(th) Max (V) -4 ID Max (A) -22
PD Max (W) 125 RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) -
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) - RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 125
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) - Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 40
Ciss Typ (pF) 1170 Pricing ($/Unit) $0.8005Sample
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology DMOS feature-configuration Single
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type P
feature-number-of-elements-per-chip 1 feature-maximum-drain-source-voltage-v 100
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±30 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v
feature-maximum-continuous-drain-current-a 22 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 125@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc 40@10V feature-typical-gate-charge-10v-nc 40
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 1170@25V feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 3750 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 3
feature-supplier-package D2PAK feature-standard-package-name1 TO-263
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FQB22P10TM is a power mosfet chip designed for switching applications. it features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power electronics applications such as voltage regulators, motor control, and power supplies. with its compact size and high performance, this chip offers efficient power management solutions.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products to the FQB22P10TM chip. however, similar alternatives may include the irf5305pbf, psmn1r8-30ylc, or the stb30n10blt4. it is recommended to consult the datasheets of these chips to ensure compatibility with your specific requirements.
  • Features

    The FQB22P10TM is a power mosfet transistor with a drain-source voltage of 100 v, a drain current rating of 22 a, and a low on-resistance. it features a fast switching speed, low gate charge, and high ruggedness. this transistor is commonly used in power supply and motor control applications.
  • Pinout

    The FQB22P10TM is a mosfet transistor with 3 pins. the pinout functions are as follows: - pin 1: gate (g) - pin 2: drain (d) - pin 3: source (s)
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FQB22P10TM is fairchild semiconductor. fairchild semiconductor is an american company that specializes in the design, development, and production of power and discrete semiconductors.
  • Application Field

    The FQB22P10TM is a power mosfet transistor. it can be used in various applications such as power supplies, motor control, audio amplification, and switching circuits.
  • Package

    The FQB22P10TM is a chip that comes in a to-263 package type. it is in a through-hole form and has a size of approximately 9.66mm x 11.56mm x 4.83mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FQB22P10TM PDF Herunterladen

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