ON FQB22P10TM
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FQB22P10TM
Datenblatt: FQB22P10TM Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3060 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFQB22P10TM Allgemeine Beschreibung
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Funktionen
- -22A, -100V, RDS(on) =125mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -11A
- Low gate charge ( Typ.40nC)
- Low Crss ( Typ. 160pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating
Anwendung
- Other Industrial
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active | CAD Models | |
Compliance | PbAHP | Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 |
Case Outline | 418AJ | MSL Type | 1 |
MSL Temp (°C) | 245 | Container Type | REEL |
Container Qty. | 800 | ON Target | Y |
Channel Polarity | P-Channel | Configuration | Single |
V(BR)DSS Min (V) | -100 | VGS Max (V) | ±30 |
VGS(th) Max (V) | -4 | ID Max (A) | -22 |
PD Max (W) | 125 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | - | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 125 |
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 40 |
Ciss Typ (pF) | 1170 | Pricing ($/Unit) | $0.8005Sample |
feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Single |
feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 100 |
feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±30 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
feature-maximum-continuous-drain-current-a | 22 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 125@10V |
feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 40@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 40 |
feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1170@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 3750 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
feature-supplier-package | D2PAK | feature-standard-package-name1 | TO-263 |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | Yes |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. | |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FQB22P10TM is a power mosfet chip designed for switching applications. it features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power electronics applications such as voltage regulators, motor control, and power supplies. with its compact size and high performance, this chip offers efficient power management solutions.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the FQB22P10TM chip. however, similar alternatives may include the irf5305pbf, psmn1r8-30ylc, or the stb30n10blt4. it is recommended to consult the datasheets of these chips to ensure compatibility with your specific requirements. -
Features
The FQB22P10TM is a power mosfet transistor with a drain-source voltage of 100 v, a drain current rating of 22 a, and a low on-resistance. it features a fast switching speed, low gate charge, and high ruggedness. this transistor is commonly used in power supply and motor control applications. -
Pinout
The FQB22P10TM is a mosfet transistor with 3 pins. the pinout functions are as follows: - pin 1: gate (g) - pin 2: drain (d) - pin 3: source (s) -
Manufacturer
The manufacturer of the FQB22P10TM is fairchild semiconductor. fairchild semiconductor is an american company that specializes in the design, development, and production of power and discrete semiconductors. -
Application Field
The FQB22P10TM is a power mosfet transistor. it can be used in various applications such as power supplies, motor control, audio amplification, and switching circuits. -
Package
The FQB22P10TM is a chip that comes in a to-263 package type. it is in a through-hole form and has a size of approximately 9.66mm x 11.56mm x 4.83mm.
Datenblatt PDF
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