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ON FQD12N20LTM
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FQD12N20LTM
Datenblatt: FQD12N20LTM Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3315 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFQD12N20LTM Allgemeine Beschreibung
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Funktionen
- 9A, 200V, RDS(on) = 280mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4.5A
- Low gate charge ( Typ. 16nC)
- Low Crss ( Typ. 17pF)
- 100% avalanche tested
- Low level gate drive requirement allowing direct oprationfrom logic drivers
Anwendung
- LED TV
- CRT/RPTV
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Workstation
- Server & Mainframe
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | DPAK-3 / TO-252-3 |
| Case Outline | 369AS | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 2500 | ON Target | Y |
| Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | 200 | VGS Max (V) | ±30 |
| VGS(th) Max (V) | 2 | ID Max (A) | 9 |
| PD Max (W) | 55 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 320 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 280 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 16 |
| Ciss Typ (pF) | 830 | Pricing ($/Unit) | $0.3072Sample |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 200 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 2 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 9 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 280@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 16@5V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 830@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 2500 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | DPAK | feature-standard-package-name1 | TO-252 |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FQD12N20LTM chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications. It has a low on-resistance and a high switching speed, making it suitable for a variety of power management tasks. The chip can handle a maximum drain current of 12A and a maximum voltage of 200V. It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and inverters.
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Equivalent
There are no direct equivalent products of the FQD12N20LTM chip, as it is a specific transistor designed by Fairchild Semiconductor. However, there may be alternative transistors with similar specifications and features that can be used in its place. -
Features
The FQD12N20LTM is a 200V N-Channel MOSFET transistor. It features a low on-resistance, fast switching speed, high ruggedness, and is designed for various power switching applications. -
Pinout
The FQD12N20LTM is a 200V, N-channel MOSFET. It has a TO-252 package with 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQD12N20LTM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in power and analog semiconductor products. -
Application Field
The FQD12N20LTM is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as power supplies, motor control, and high-frequency circuits. It is particularly suitable for applications where high power and high efficiency are required due to its low on-resistance and fast switching capabilities. -
Package
The FQD12N20LTM chip is a MOSFET transistor. It is available in a TO-252 (DPAK) package type, which has three pins. The size of the package is around 6.6mm x 6.2mm x 1.7mm.
Datenblatt PDF
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