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ON FDS8958B
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET 30V for high-performance power applications
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDS8958B
Datenblatt: FDS8958B Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOIC-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3851 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,595 | $0,595 |
| 10 | $0,495 | $4,950 |
| 30 | $0,445 | $13,350 |
| 100 | $0,396 | $39,600 |
| 500 | $0,330 | $165,000 |
| 1000 | $0,314 | $314,000 |
In Stock:3851 PCS
FDS8958B Allgemeine Beschreibung
These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Funktionen
- Q1 N-Channel
Max. RDS(on) = 26 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.4 A
Max. RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.2 A - Q2 P-Channel
Max. RDS(on) = 51 mΩ at VGS = -10 V, ID = -4.5 A
Max. RDS(on) = 80 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -3.3 A - HBM ESD protection level > 3.5 kV
- RoHS Compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- DC-DC Conversion
- BLU and Motor Drive Inverter
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.4 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 26 mOhms, 51 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V, - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V, 3 V |
| Qg - Gate Charge | 12 nC, 19 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDS8958B | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 2 ns, 6 ns |
| Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 2 ns, 6 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 nS, 17 nS | Typical Turn-On Delay Time | 4.3 nS, 6 nS |
| Width | 3.9 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDS8958B chip is a power MOSFET designed for use in low-voltage applications. It features a low on-resistance, making it suitable for various electronic devices like smartphones, tablets, and portable electronics. The chip is designed to provide efficient power management and reliable performance in a compact form factor.
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Pinout
The FDS8958B is a dual N-channel, logic level, PowerTrench® MOSFET. It has a pin count of 8. Common functions of its pins include gate control, source connection, and drain connection for each of the two internal MOSFETs. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS8958B is Fairchild Semiconductor. It is an American semiconductor company that specializes in power and mobile semiconductor technologies. -
Application Field
The FDS8958B is a small signal N-channel MOSFET commonly used in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and power switches. It is suitable for low power devices and can be used in various electronic systems where efficient power control is required. -
Package
The FDS8958B chip is available in a SOP-8 package, which stands for Small Outline Package. It has a size of 3.91mm x 4.90mm.
Datenblatt PDF
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