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ON FDS6673BZ
P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Marken: ON
Herstellerteil #: FDS6673BZ
Datenblatt: FDS6673BZ Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOP8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2984 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,713 | $0,713 |
| 10 | $0,593 | $5,930 |
| 30 | $0,533 | $15,990 |
| 100 | $0,474 | $47,400 |
| 500 | $0,438 | $219,000 |
| 1000 | $0,420 | $420,000 |
In Stock:2984 PCS
FDS6673BZ Allgemeine Beschreibung
This P-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.
This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Funktionen
- Max rDS(on) = 7.8mΩ, VGS = -10V, ID = -14.5A
- Max rDS(on) = 12mΩ, VGS = -4.5V, ID = -12A
- Extended VGS range (-25V) for battery applications
- HBM ESD protection level of 6.5kV typical (note 3)
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- High power and current handling capability
- RoHS compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 14.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 124 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDS6673BZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 105 ns |
| Forward Transconductance - Min | 60 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 16 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 225 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns | Width | 3.9 mm |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDS6673BZ is a power MOSFET chip used in a variety of electronic devices. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverter circuits. With low on-resistance and fast switching capabilities, this chip offers efficient performance and reliable operation.
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Equivalent
Some possible equivalent products for the FDS6673BZ chip include FDS5670, FDS6675B, and FDP6670AL. -
Features
The FDS6673BZ is a power MOSFET with a voltage rating of 30V and a current rating of 13A. It has low on-resistance, making it suitable for high-power applications. It also features a fast switching speed, low gate charge, and low gate drive requirements. -
Pinout
The FDS6673BZ is a 8-pin n-channel MOSFET transistor. The pin count and function of each pin are as follows: 1. Drain - handles the flow of current from the transistor 2. Drain - alternate pin for the current flow 3. Source - connects to the ground or negative power supply 4. Gate - controls the switching action of the transistor 5. Gate - alternate pin for the switching action 6. Source - alternate pin for the ground connection 7. Not Connected - unused pin 8. Not Connected - unused pin -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS6673BZ is Fairchild Semiconductor. It is an American company that specializes in designing, manufacturing, and selling various semiconductor products. -
Application Field
The FDS6673BZ is a MOSFET transistor commonly used in power supply applications and switching circuits. It is suitable for various electronic devices requiring high-performance switching capabilities, such as computer power supplies, industrial power control systems, motor drives, LED lighting, and automotive applications. -
Package
The FDS6673BZ chip comes in a SOP-8 package type, with an overall form of a small outline package. The size of the package is approximately 5.1mm x 6.2mm.
Datenblatt PDF
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