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ON FDS89161
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FDS89161
Datenblatt: FDS89161 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SO-8
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2763 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDS89161 Allgemeine Beschreibung
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Funktionen
- Shielded Gate MOSFET Technology
- Max rDS(on) = 105 mΩat VGS= 10 V, ID = 2.7 A
- Max rDS(on) = 171 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.1 A
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- High power and current handling capability in a widely used surface mount package
- 100% UIL Tested
- RoHS Compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- Synchronous Rectifier
- Primary Switch for Bridge Topology
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDS89161 | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | SOP-8 | Manufacturer Package Code | 751EB |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 24 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Application | SWITCHING | Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-category | Power MOSFET |
| feature-material | feature-process-technology | TMOS | |
| feature-configuration | Dual Dual Drain | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | N | feature-number-of-elements-per-chip | 2 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 100 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 2.7 | |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 105@10V | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 3@10V|1.7@5V |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | 3 | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 158@50V |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 1600 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 8 | feature-supplier-package | SOIC |
| feature-standard-package-name1 | SO | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | No |
| feature-svhc-exceeds-threshold | No |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDS89161 chip is a high-performance integrated circuit designed for use in various electronic devices. It offers advanced features such as low power consumption, high-speed data processing, and compatibility with different communication protocols. The chip's versatility and efficiency make it suitable for applications in areas like consumer electronics, automotive systems, and industrial control.
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Features
The FDS89161 is a semiconductor device designed for power management solutions. It features a low on-resistance, allowing for efficient power delivery. It also has a low gate charge, making it suitable for fast switching applications. Additionally, it offers a small package size, enabling space-saving designs. -
Pinout
The FDS89161 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. Its functions include providing low on-resistance and high-speed switching capabilities in applications such as power management circuits, motor drives, and load switches. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS89161 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, develops, and manufactures semiconductor products. They specialize in power and signal path products for various applications in automotive, industrial, and consumer markets. -
Application Field
The FDS89161 is a high-voltage power MOSFET designed for applications requiring efficient power switching in a small yet robust package. With a high drain-source breakdown voltage and low on-resistance, it is commonly used in a variety of applications such as motor control, power supplies, LED lighting, and battery charging circuits. -
Package
The FDS89161 chip is available in a package type of QFN (Quad Flat No-Lead), with a form factor of 6x6mm and a size of 36 mm².
Datenblatt PDF
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