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ON FDS86242
Elevate your power system designs with FDS86242, a top-tier N-channel PowerTrench® MOSFET engineered for excellence
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDS86242
Datenblatt: FDS86242 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOIC-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3814 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,502 | $0,502 |
| 10 | $0,436 | $4,360 |
| 30 | $0,403 | $12,090 |
| 100 | $0,371 | $37,100 |
| 500 | $0,351 | $175,500 |
| 1000 | $0,340 | $340,000 |
In Stock:3814 PCS
FDS86242 Allgemeine Beschreibung
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Funktionen
- Max rDS(on) = 67 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.1 A
- Max rDS(on) = 98mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.3 A
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package
- 100% UIL Tested
- RoHS Compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- DC/DC Converters
- Off-line UPS
- Distributed Power Architectures and VRMs
- Primary Switch for 24V and 48V Systems
- High Voltage Synchronous Rectifier
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 56.3 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 4.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDS86242 | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 11 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | N-Channel Power Trench MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns | Width | 3.9 mm |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDS86242 chip is a small electronic component commonly used for switching applications in power distribution systems. It is a dual N-channel MOSFET device, designed to handle high voltage and current. The chip offers low on-resistance and fast switching speed, making it suitable for a variety of applications including motor control, power supplies, and battery protection circuits.
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Features
The FDS86242 is a small signal N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 30V, drain current of 3.6A, and 0.34Ω on-state resistance. It has a low gate threshold voltage and can provide fast switching speeds. It is commonly used in power management and load switching applications. -
Pinout
The FDS86242 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET. It has a pin count of 8, with two pins for drain, one pin for source, one pin for gate, and four additional pins for other functions such as body diode, gate driver, or package. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS86242 is Fairchild Semiconductor. It is a global company that specializes in the design, production, and distribution of integrated circuits for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The FDS86242 is a small signal N-channel MOSFET that can be used in various applications, including power management and switching circuits. It is commonly utilized in smartphones, tablets, laptops, and other portable devices to control and regulate voltage and current. Additionally, it can also be found in automotive electronics, industrial systems, and other low-power applications. -
Package
The FDS86242 chip is packaged in a standard SO-8 (Small Outline) package, which is a surface mount device with eight pins. The package size is approximately 4.9mm x 3.9mm.
Datenblatt PDF
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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