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ON FQPF70N10 48HRS

MOSFET 100V N-Channel QFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: FQPF70N10

Datenblatt: FQPF70N10 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220F

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2113 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $6,663 $6,663
10 $5,844 $58,440
50 $5,347 $267,350
100 $4,929 $492,900

In Stock:2113 PCS

- +

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FQPF70N10 Allgemeine Beschreibung

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

fqpf70n10

Funktionen

  • "
  • 35A, 100V, RDS(on) = 23mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 17.5A
  • Low gate charge ( Typ. 85nC)
  • Low Crss ( Typ. 150pF)
  • 100% avalanche tested
  • 175°C maximum junction temperature rating"

Anwendung

  • Other Industrial

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 35 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 25 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 110 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 62 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: QFET Series: FQPF70N10
Packaging: Tube Brand: onsemi / Fairchild
Configuration: Single Fall Time: 160 ns
Forward Transconductance - Min: 38 S Height: 16.07 mm
Length: 10.36 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 470 ns Factory Pack Quantity: 50
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET Typical Turn-Off Delay Time: 130 ns
Typical Turn-On Delay Time: 30 ns Width: 4.9 mm
Part # Aliases: FQPF70N10_NL

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FQPF70N10 chip is a power MOSFET used in electronic circuits. It is designed to handle high currents and voltages with low on-resistance for efficient power transfer. The chip has a maximum current rating of 70A and a maximum voltage rating of 100V. It is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and audio amplifiers.
  • Features

    Some features of the FQPF70N10 include a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 70A, a low on-resistance of 0.01 ohms, and a fast switching speed. Additionally, it has a compact TO-220 package and is designed with high efficiency and reliability in mind.
  • Pinout

    The FQPF70N10 is a MOSFET transistor. It has a 3-pin configuration, consisting of a gate (G), drain (D), and source (S) pin. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FQPF70N10 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in the design, development, and production of power management and analog semiconductor solutions. They provide a wide range of products and solutions for various industries, including automotive, communication, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The FQPF70N10 is a power MOSFET used for switching applications in power supplies, motor drives, and other high-power devices. It can handle a maximum voltage of 100V and a continuous current of 69A, making it suitable for high-power systems.
  • Package

    The FQPF70N10 chip is in a TO-220 package type, with a through-hole form. Its size is approximately 10.16mm x 10.16mm (0.4in x 0.4in).

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FQPF70N10 PDF Herunterladen

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