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ON FQT7N10LTF
High-Voltage N-Channel Mosfet in SOT-223 Package with 0.35 Ohm On-Resistance
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FQT7N10LTF
Datenblatt: FQT7N10LTF Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-223-4 , TO-261-4
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3059 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFQT7N10LTF Allgemeine Beschreibung
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 380 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 110 / Rise Time ns = 210 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 30 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2
Funktionen
- 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A
- Low gate charge ( Typ. 5.8nC)
- Low Crss ( Typ. 10pF)
- 100% avalanche tested
Anwendung
- LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-223-4 / TO-261-4 | Case Outline | 318H-01 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 4000 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 100 |
| VGS Max (V) | ±20 | VGS(th) Max (V) | 2 |
| ID Max (A) | 1.7 | PD Max (W) | 2 |
| RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 350 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 4.6 |
| Ciss Typ (pF) | 220 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FQT7N10LTF is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. The chip offers a low on-resistance and helps reduce power losses while improving overall system performance.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the FQT7N10LTF chip. However, you can consider other N-channel MOSFETs with similar specifications and features such as the IRF640, IRF740, or FQP47P10. It is important to review the data sheets to ensure compatibility with your specific requirements. -
Features
FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It has a compact and efficient design suitable for high power applications, such as motor control and power supply systems. -
Pinout
The FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current from the Source to the Drain. -
Application Field
The FQT7N10LTF is a highly efficient power MOSFET designed for general-purpose applications. It can be used in various areas such as power management, switching power supplies, motor control, and lighting applications. Its low on-resistance and high current handling capability make it suitable for high-performance applications where low power losses and efficient power transfer are essential. -
Package
The FQT7N10LTF chip is available in a DPAK package type.
Datenblatt PDF
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Competitive pricing, but customer service was a bit slow to respond.