Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000ST STP25NM60ND
Robust and compact Trans MOSFET solution for high-reliability design
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STP25NM60ND
Datenblatt: STP25NM60ND Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.661 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
STP25NM60ND Allgemeine Beschreibung
The STP25NM60ND Power MOSFET is a reliable and efficient option for high power applications in industrial and automotive settings. With a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 25A, this N-channel MOSFET is well-suited for demanding tasks. Its low on-resistance of 0.15 ohms leads to decreased conduction losses and heightened efficiency, while its fast switching speed and low gate charge enable effective operation at high frequencies. Housed in a TO-220 package, the STP25NM60ND offers excellent thermal performance and easy PCB mounting, making it a practical solution for a wide range of applications. Furthermore, its high avalanche capability ensures reliable performance in harsh environments and during transient conditions, providing reassurance for users in demanding scenarios
Funktionen
- Advanced logic controller
- Ergonomic design software
- High-performance computing kit
- Sustainable energy solution suite
- Intelligent data analytics tool
- Cloud-based virtual assistant
Anwendung
- SMPS Components
- Power Management
- Motor Drive Solutions
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 160 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | STB25NM60N |
| Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
| Fall Time | 40 ns | Height | 9.15 mm |
| Length | 10.4 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 30 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 60 ns |
| Width | 4.6 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den STP25NM60ND Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : IRF840PBF
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRF3710ZPBF
Marken :
Paket : TO-220AB
Beschreibung : N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:59A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):18mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V
Artikelnummer : STB55NF06LT4
Marken :
Paket : D2PAK
Beschreibung : N-CHANNEL 60V - 0.014 Ohm - 55A T0-220/TO-22OFP/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET,MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
Artikelnummer : FDPF33N25T
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : Trans MOSFET N-CH 250V 33A Continuous Drain Current Id:20A, Drain Source Voltage Vds:250V
Artikelnummer : 2SK2545
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : AOTF25N60L
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : FCP25N60N
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Teilpunkte
-
STP25NM60ND is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and reliable switching applications. It has a maximum voltage rating of 600V and a continuous drain current of 25A. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and lighting applications.
-
Equivalent
The equivalent products of the STP25NM60ND chip are the Mosfet N-Channel 600V 25A TO-220/TO-220FP PowerMESH™ II, STB40NM60ND, and the Htx208e. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the STP25NM60ND in different applications. -
Features
1. 600V power MOSFET 2. N-channel type 3. Suitable for high power applications 4. Low input capacitance 5. Low on-state resistance 6. Avalanche energy rated 7. Fast switching capability 8. TO-220 package 9. RoHS compliant -
Pinout
The STP25NM60ND is a 25A, 600V N-channel Power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions are to control the flow of current through the MOSFET by applying voltage to the Gate pin. -
Manufacturer
STMicroelectronics is the manufacturer of the STP25NM60ND. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of electronic components and systems, including semiconductors, discrete devices, and integrated circuits for various applications in automotive, industrial, communication, and consumer markets. -
Application Field
The STP25NM60ND is commonly used in various applications such as high-power SMPS, PFC, welding, induction heating, and motor control systems. It is suitable for applications where high performance and efficiency are required, making it ideal for use in industrial, automotive, and consumer electronics. -
Package
The STP25NM60ND chip is available in a TO-220 package type, a through-hole form, and has a size of 10.3mm x 4.6mm x 3.85mm.
Datenblatt PDF
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
