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$5000vishay SI7617DN-T1-GE3
Silicon-based metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with P-channel configuration, offering a current capacity of 13
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI7617DN-T1-GE3
Datenblatt: SI7617DN-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-1212-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,473 | $0,473 |
10 | $0,421 | $4,210 |
30 | $0,397 | $11,910 |
100 | $0,373 | $37,300 |
500 | $0,306 | $153,000 |
1000 | $0,298 | $298,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
SI7617DN-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Funktionen
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-1212-8 |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 35 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 12.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 39 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 52 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | TrenchFET | Series | SI7 |
Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
Fall Time | 9 ns, 12 ns | Forward Transconductance - Min | 35 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | Part # Aliases | SI7617DN-GE3 |
Unit Weight | 0.032487 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI7617DN-T1-GE3 is a power management IC (PMIC) designed for use in a variety of applications including tablets, notebooks, and other handheld devices. It features a dual step-down converter, LDO regulator, and I2C interface for monitoring and programming settings. This chip offers high efficiency and reliable performance for power management needs in portable electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SI7617DN-T1-GE3 chip are SI7620DN-T1-GE3, SI7618DN-T1-GE3, and SI7621DN-T1-GE3. These chips are all dual N-channel 30 V MOSFETs with integrated Schottky diode, ideal for DC-DC converters, synchronous buck converters, and load switches in various electronic applications. -
Features
SI7617DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a 30V Vds rating and 50A continuous drain current capability. It has a low on-resistance of 4.5m ohm and a compact 3x3mm PowerPAK package. This MOSFET is suitable for high power industrial and automotive applications. -
Pinout
The SI7617DN-T1-GE3 has a 7 pin count and is a synchronous buck regulator IC. It is designed to deliver a regulated output voltage while operating from a wide input voltage range. It features integrated FETs, a current limit, and over-temperature protection. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7617DN-T1-GE3 is Vishay Intertechnology. Vishay is a multinational company that produces electronic components for a variety of industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics. They specialize in passive components such as resistors, capacitors, and inductors, as well as discrete semiconductors and power management products. -
Application Field
The SI7617DN-T1-GE3 is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and voltage regulators. It is also suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications that require efficient power management and voltage regulation. -
Package
The SI7617DN-T1-GE3 chip comes in a PowerPAK® SO-8 package. It is a dual N-channel MOSFET in a surface-mount configuration and has a size of 5mm x 6mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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