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SI4840BDY-T1-GE3
SO-8 package MOSFET with 40V Vds and 20V Vgs
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI4840BDY-T1-GE3
Datenblatt: SI4840BDY-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOIC-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.362 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,896 | $0,896 |
| 10 | $0,763 | $7,630 |
| 30 | $0,690 | $20,700 |
| 100 | $0,609 | $60,900 |
| 500 | $0,573 | $286,500 |
| 1000 | $0,556 | $556,000 |
Auf Lager: 8.362 Stck
SI4840BDY-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
In terms of temperature range, this transistor can withstand temperatures from -55°C to 150°C, making it suitable for a wide range of environments. The SOIC case style with 8 pins provides easy integration into existing circuit boards. Additionally, the MSL rating ensures proper handling during storage and assembly
Funktionen
- Improved Performance with Advanced Process
- Laser Marking for Easy Identification
- Ruggedness and Reliability in Harsh Environments
Anwendung
Synchronous Rectification |POL, IBC - Secondary Side DSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V | Id - Continuous Drain Current | 19 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 6 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI4 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Part # Aliases | SI4840BDY-GE3 |
| Unit Weight | 0.026455 oz |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The SI4840BDY-T1-GE3 is a high power, low RDS(on) synchronous buck regulator chip designed for use in applications where high efficiency and small size are important. It features integrated power MOSFETs, adjustable frequency operation, and programmable soft-start for easy design implementation. This chip is ideal for use in power supplies, industrial applications, and consumer electronics.
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Equivalent
Some equivalent products to the SI4840BDY-T1-GE3 chip are SI4840DY, SI4840DY-T1-GE3, and SI4840BDY. These are all P-Channel MOSFET transistors designed for switching applications in power management circuits. -
Features
- SI4840BDY-T1-GE3 is a N-channel MOSFET with a power rating of 40V and a continuous drain current of 2.5A. - It has a low on-resistance of 0.058 ohms and a fast switching speed. - The package type is PowerPAK 1212-8 and it is RoHS compliant. - It is suitable for a wide range of applications including power management and motor control. -
Pinout
The SI4840BDY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 and 4 are connected to the source of each MOSFET, pins 2 and 3 are the gates, and pins 5, 6, 7, and 8 are the drain pins. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SI4840BDY-T1-GE3 is Vishay. Vishay is a globally recognized manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in producing a wide range of products such as diodes, capacitors, resistors, and inductors for various industries including automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SI4840BDY-T1-GE3 can be used in a wide range of applications including industrial automation, power management systems, and automotive control systems. It is specifically designed for use in low-voltage power applications where high efficiency and reliability are required. -
Package
The SI4840BDY-T1-GE3 chip is a surface mount Schottky diode with a DFN-8 package. It has a form factor of 2.00mm x 2.00mm and a thickness of 0.75mm.
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