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2SC4081T106R
Ultra Miniature Transistor in 3-Pin UMT Package for NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor, with 50 Volts and 0.15 Amps
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: 2SC4081T106R
Datenblatt: 2SC4081T106R Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-323-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5146 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 20 | $0,022 | $0,440 |
| 200 | $0,019 | $3,800 |
| 600 | $0,018 | $10,800 |
| 3000 | $0,014 | $42,000 |
| 9000 | $0,014 | $126,000 |
| 21000 | $0,013 | $273,000 |
In Stock:5146 PCS
2SC4081T106R Allgemeine Beschreibung
The 2SC4081-T106R is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for high frequency and low noise applications. It is manufactured by Toshiba and comes in a small, surface mount package.The transistor has a maximum collector current of 50mA and a maximum collector power dissipation of 150mW. It has a low noise figure of 1.5dB at 1kHz and a high gain of 85dB at 1mA and 6V. The cutoff frequency is at least 550MHz.The 2SC4081-T106R is suitable for use in a variety of high frequency applications such as RF amplifiers, VHF/UHF oscillators, and high frequency transmitters. It is also commonly used in low noise amplifiers for radio and television receivers.The transistor has a maximum junction temperature of 150°C and an operating temperature range of -55°C to 150°C. It is RoHS compliant, making it environmentally friendly.
Funktionen
- High capacitance ratio
- Low leakage current
- Low offset voltage
- Low noise figure
- High power gain
- High linearity
- Designed for RF amplifier applications
- Small surface mount package
Anwendung
- Audio amplifiers
- Power transistor circuits
- Switching circuits
- Lighting applications
- Motor control applications
- Power supply applications
- Automotive electronic systems
- Signal processing circuits
- Industrial control systems
- Instrumentation systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Transistor Polarity | NPN |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA | Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Gain Bandwidth Product fT | 180 MHz | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | onsemi / Fairchild | DC Collector/Base Gain hfe Min | 180 at 1 mA, 6 V |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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