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2SD1111
Small Signal NPN Transistor, 700mA, 50V, TO-92 Enclosure
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: 2SD1111
Datenblatt: 2SD1111 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-226-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.705 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,169 | $1,169 |
| 200 | $0,453 | $90,600 |
| 500 | $0,437 | $218,500 |
| 1000 | $0,430 | $430,000 |
Auf Lager: 8.705 Stck
2SD1111 Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 50 V 700 mA 200MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Funktionen
- Low power consumption
- High gain amplifier
- Suitable for analog applications
Anwendung
- Boost audio signals
- Provide steady power
- Detect changes instantly
- Switch circuits smoothly
- Illuminate with LEDs
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Packaging | Bulk | Part Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington | Current - Collector (Ic) (Max) | 700 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 100µA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5000 @ 50mA, 2V |
| Power - Max | 600 mW | Frequency - Transition | 200MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Teilpunkte
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The 2SD1111 is a bipolar junction NPN transistor designed for general purpose amplifier and switching applications. It has a maximum collector current of 1.5A and a maximum collector-base voltage of 80V. The transistor is typically used in low power audio amplifiers, voltage regulators, and motor control circuits.
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Equivalent
Equivalent products of the 2SD1111 chip include BD437, BD697, 2SD1460, and BC327. These transistors are all NPN silicon epitaxial transistors commonly used in audio amplifier circuits, voltage regulators, and general purpose switching applications. They have similar characteristics and performance as the 2SD1111 chip. -
Features
The 2SD1111 is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for low frequency power amplifier applications. It has a maximum collector current of 1.5A, a maximum collector power dissipation of 0.75W, and a DC current gain (hFE) of 40-250. The transistor also has a low saturation voltage and high current gain bandwidth product. -
Pinout
The 2SD1111 is a PNP bipolar junction transistor with a TO-126 package. It has 3 pins: the emitter (E), base (B), and collector (C). Its function is to amplify and switch electronic signals. The pinout arrangement is typically Emitter connected to pin 1, Base to pin 2, and Collector to pin 3. -
Manufacturer
The 2SD1111 is manufactured by Toshiba Corporation. Toshiba is a Japanese multinational conglomerate company specializing in a diverse range of products and services, including information technology, electronic devices, power systems, industrial and social infrastructure systems, and home appliances. They are known for their innovation in various industries and their high-quality electronic components. -
Application Field
The 2SD1111 is a general-purpose NPN transistor commonly used in audio amplifiers, switching circuits, and power supply applications. It can also be used in high-frequency oscillators, voltage regulators, motor control circuits, and other electronic devices that require medium power handling capabilities. -
Package
The 2SD1111 chip comes in a TO-220F package type, with a through-hole form. The size of the chip is typically 3.8mm x 10mm x 4.9mm.
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