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$5000SIR626DP-T1-RE3
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Marken: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Herstellerteil #: SIR626DP-T1-RE3
Datenblatt: SIR626DP-T1-RE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK® SO-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.027 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIR626DP-T1-RE3 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Funktionen
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
| Factory Lead Time | 14 Weeks, 4 Days | Date Of Intro | 2017-03-22 |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | Avalanche Energy Rating (Eas) | 125 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 100 A |
| Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.002 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 104 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Turn-off Time-Max (toff) | 78 ns |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SIR626DP-T1-RE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for applications in the 0.5 to 2.5 GHz frequency range. This chip offers excellent power added efficiency and linearity, making it ideal for use in cellular infrastructure, repeaters, small cells, and other wireless communication systems. Its compact size and high reliability make it a versatile option for high-power RF applications.
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Equivalent
Some equivalent products of SIR626DP-T1-RE3 chip are SIR633DP-T1-RE3, SIR624DP-T1-RE3, and SIR625DP-T1-RE3 from the same manufacturer. These chips are all dual P-channel MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
- SIR626DP-T1-RE3 is a high-speed, low resistance, dual P-channel MOSFET - Features a drain-source voltage of -30V - Provides a maximum continuous drain current of -7A - Designed for use in portable electronics, battery protection circuits, and load switching applications -
Pinout
The SIR626DP-T1-RE3 is a Dual P-Channel MOSFET with 8 pins. Its functions include providing high-speed switching for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SIR626DP-T1-RE3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a company that specializes in the design and production of discrete semiconductors and passive electronic components. They are known for their high-quality products and innovative solutions for various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
SIR626DP-T1-RE3 is commonly used in applications requiring fast switching speeds and high breakdown voltage, such as high-frequency power amplifiers, radar systems, and microwave applications. It is also suitable for use in power management systems, RF transmitters, and satellite communication systems. -
Package
The SIR626DP-T1-RE3 chip is a diode rectifier in a D-PAK package. It has a surface mount form and a size of 6.6mm x 9.2mm x 3.6mm.
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