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SI7456DP-T1-E3
MOSFET capable of handling 9.3A current and 5.2W power at 100V
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI7456DP-T1-E3
Datenblatt: SI7456DP-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-SO-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.159 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,093 | $1,093 |
| 10 | $0,986 | $9,860 |
| 30 | $0,927 | $27,810 |
| 100 | $0,862 | $86,200 |
| 500 | $0,833 | $416,500 |
| 1000 | $0,819 | $819,000 |
Auf Lager: 8.159 Stck
SI7456DP-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
The package includes important specifications like power dissipation, termination type, and voltage ratings. With a typical voltage Vds of 100V and a voltage Vgs Rds measurement of 10V, this MOSFET can handle high-power applications with ease. The SMD termination type ensures reliable connectivity in surface mount PCB designs
Funktionen
Anwendung
Primary Side Switch for High Density DC/DC |Telecom/Server 48 V, Full-/Half-Bridge DC/DC |Industrial and 42 V Automotive DSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9.3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 25 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 36 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 5.2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 26 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S | Height | 1.04 mm |
| Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7456DP-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI7456DP-T1-E3 is a power MOSFET component that is part of the Vishay Siliconix family. It is designed for use in switching applications in various electronic devices. This chip offers low on-resistance, high-speed switching capabilities, and is suitable for a wide range of voltage and current requirements.
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Equivalent
The equivalent products of the SI7456DP-T1-E3 chip are SI7456DP-T1-GE3 and SI7456DP-T1-RE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable replacements for the SI7456DP-T1-E3 in various applications. -
Features
1. Low RDS(on) of 0.75 ohms 2. Low gate charge for improved efficiency 3. High peak current capability 4. Designed for automotive applications 5. RoHS compliant 6. Halogen-free 7. Low profile DPAK package (Note: This information is subject to change and may not be up to date.) -
Pinout
The SI7456DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate1, source1, drain1, gate2, source2, and drain2. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The SI7456DP-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that produces discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI7456DP-T1-E3 is commonly used in high-speed communication protocols, such as Ethernet, SONET, and Fibre Channel. It is also suitable for applications in industrial automation, automotive electronics, and consumer electronics due to its low capacitance and high bandwidth capabilities for ESD protection. -
Package
The SI7456DP-T1-E3 chip comes in a DFN (Dual Flat No-Lead) package type, with a dual MOSFET form factor. The size of the chip is 3mm x 3mm in dimension.
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