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$5000SI7252DP-T1-GE3
Robust and efficient power management for automotive systems
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Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI7252DP-T1-GE3
Datenblatt: SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-SO-8
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.429 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI7252DP-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Mosfet Array 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
![](/files/uploads/product/b/1d48a0ac0f5b4803abac9ad2d70422a0.webp)
Funktionen
- TrenchFET® power MOSFET,100 % Rg and UIS tested
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 36.7 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V | Qg - Gate Charge | 27 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 46 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | TrenchFET | Series | SI7 |
Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Dual |
Fall Time | 7 ns | Forward Transconductance - Min | 40 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 13 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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SI7252DP-T1-GE3 is a chip developed by Silicon Laboratories. It is a digital isolator with a maximum data rate of 1 Mbps. It provides galvanic isolation of up to 4 kV RMS and operates with a supply voltage range of 1.7-5.5 V. The chip is designed for applications requiring noise immunity, voltage isolation, and signal isolation, such as industrial automation, power supplies, and medical devices.
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Equivalent
Equivalent products of the SI7252DP-T1-GE3 chip include the SII9022DP-T1-GE3, SII9023DP-T1-GE3, and SII9025DP-T1-GE3 chips. -
Features
The SI7252DP-T1-GE3 is a low RDS(on) brushless motor driver with integrated pre-driver and protection features. It provides precise control of motor current and speed through PWM input. The device also incorporates built-in protection features such as thermal shutdown, overcurrent protection, and undervoltage lockout. -
Pinout
The SI7252DP-T1-GE3 is a dual-channel, low-side MOSFET driver IC with a pin count of 8. It is used for driving N-channel MOSFETs in a variety of applications such as DC-DC converters, power supplies, and motor drivers. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7252DP-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in producing power MOSFETs, small-signal MOSFETs, and integrated circuits for various applications such as automotive, telecommunications, industrial, consumer, and more. They are known for their high-performance and reliable electronic components. -
Application Field
The SI7252DP-T1-GE3 is a power switch IC used for applications such as USB port protection, hot-swap circuits, and load switching. It can be used in various electronic devices including smartphones, tablets, laptops, and industrial equipment to provide overvoltage, overcurrent, and short-circuit protection for the power supply. -
Package
The SI7252DP-T1-GE3 chip is available in a Thin DFN (Dual Flat No-Lead) package type. Its size is 3 mm x 3 mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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