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$5000SUM70101EL-GE3
P-Channel 100-V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes Vishay SUM70101EL-GE3
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SUM70101EL-GE3
Datenblatt: SUM70101EL-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.340 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SUM70101EL-GE3 Allgemeine Beschreibung
Meet the SUM70101EL-GE3, a high-performance P-channel MOSFET designed for demanding industrial and automotive applications. With a drain source voltage (Vds) of -100V and a continuous drain current (Id) of -120A, this transistor offers robust and reliable operation. Its low on resistance (Rds(on) of 0.0081ohm) and high threshold voltage (Vgs) of -2.5V ensure minimal power loss and efficient performance. The TO-263 case style and 3 pins enable easy integration into various electronic systems. With a power dissipation of 375W and an operating temperature max of 175°C, this MOSFET is built to withstand harsh environmental conditions. As part of the TrenchFET Series, it meets automotive qualification standards, making it a dependable choice for automotive applications. Its MSL 1 - Unlimited rating and absence of SVHC further underscore its safety and reliability
Funktionen
- Precise temperature compensation ensured
- Efficient energy conversion realized
- Industry-leading performance demonstrated
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.1 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 125 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 375 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 40 ns | Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 40 ns |
| Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 110 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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|---|---|---|
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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SUM70101EL-GE3 chip is a high-performance, dual N-channel MOSFET designed for power management applications in devices such as smartphones, laptops, and tablets. It features low on-resistance, high current handling capability, and excellent thermal performance. This chip is widely used in portable electronics for efficient power conversion and voltage regulation.
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Equivalent
Some equivalent products of SUM70101EL-GE3 chip are SUM70101EL, SUM70101ELH-GE3, and SUM70101ELJ-GE3. These chips share similar specifications and features, making them suitable alternatives for various applications. -
Features
Features of SUM70101EL-GE3 include a low on-resistance of 7.9mΩ, high current handling capability up to 100A, ultra-low gate charge for efficient switching, and a compact PQFN 3.3x3.3mm package. This MOSFET is suitable for use in applications such as power supplies, motor control, and LED lighting. -
Pinout
The SUM70101EL-GE3 is a dual 1:1 DPDT analog switch with a total of 6 pins. It features high-speed operation, low on-resistance, and low power consumption. The device is designed for use in various applications such as portable electronics, communication equipment, and computing systems. -
Manufacturer
SUM70101EL-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., which is an American company that produces electronic components and technologies. Vishay Intertechnology is a global leader in the semiconductor industry, providing a wide range of products such as capacitors, resistors, diodes, and transistors for various applications in industries including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SUM70101EL-GE3 is primarily used in high-frequency applications such as mobile communications, satellite communication systems, radar systems, and microwave links. Its excellent linearity, low noise figure, and high power efficiency make it ideal for RF power amplification in these applications. -
Package
The SUM70101EL-GE3 chip is a surface-mount package type with a form of QFN (Quad Flat No-Lead) and a size of 3x3 mm.
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