Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000
SUP85N10-10-E3
N-channel power MOSFET capable of operating at 175°C and rated for 100V
Marken: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Herstellerteil #: SUP85N10-10-E3
Datenblatt: SUP85N10-10-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220AB
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.488 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $3,339 | $3,339 |
| 10 | $2,934 | $29,340 |
| 50 | $2,693 | $134,650 |
| 100 | $2,449 | $244,900 |
| 500 | $2,338 | $1169,000 |
| 1000 | $2,286 | $2286,000 |
Auf Lager: 7.488 Stck
SUP85N10-10-E3 Allgemeine Beschreibung
TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; Current Id Max:85A; Package / Case:TO-220; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Funktionen
- TrenchFET® power MOSFET,175 °C maximum junction temperature
Anwendung
- Industrial
- Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 280 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 85 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0105 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-220AB |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 240 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Element Material | SILICON | Series | TrenchFET® |
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6550 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET transistor designed for high-performance and efficiency in a variety of power supply and motor control applications. It features low on-resistance and a high current rating, making it suitable for high-power and high-frequency applications. The chip is designed to operate at high temperatures and comes in a TO-220 package for easy integration into circuit designs.
-
Equivalent
Some equivalent products of SUP85N10-10-E3 chip are IRFPE80, IRF720, IPB019N10N3G, IPB048N10N3G, STP80NF10, IRLI3705N, IRLU024N, IRF3703, and IRF350. -
Features
The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET with a maximum voltage of 100V, a continuous drain current of 85A, and a low on-resistance of 8.5mΩ. It is designed for high-efficiency applications and features a TO-220 package with a built-in diode for fast recovery. It also has a low thermal resistance for improved thermal performance. -
Pinout
The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET with a pin count of 3. It is designed to control and switch high-power loads in automotive and industrial applications. Its main function is to provide efficient power management and control by controlling the flow of current between the source and drain terminals. -
Manufacturer
The SUP85N10-10-E3 is manufactured by Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in developing and producing a wide range of products including power MOSFETs, diodes, rectifiers, and optoelectronics for a variety of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. -
Application Field
The SUP85N10-10-E3 is commonly used as a power MOSFET in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It can also be utilized in DC-DC converters, battery management systems, and voltage regulation circuits, thanks to its high power density and low on-resistance. -
Package
The SUP85N10-10-E3 chip comes in a TO-220AB package type, with a through-hole mounting form. It has a size of 10.54mm x 15.88mm x 7.62mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
