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SUD08P06-155L-GE3

High-speed switching and low on-resistance make it ideal for power managemen

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Herstellerteil #: SUD08P06-155L-GE3

Datenblatt: SUD08P06-155L-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-252-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5.080 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SUD08P06-155L-GE3 Allgemeine Beschreibung

The SUD08P06-155L-GE3 power FET is a reliable choice for designers seeking a robust and versatile transistor for their electronic projects. Its single-element design and metal-oxide semiconductor construction provide stable and consistent performance in various operating conditions. Whether used in automotive, industrial, or consumer electronics, this transistor delivers efficient power conversion and management, thanks to its high current rating and low on-state resistance

Funktionen

  • TrenchFET® power MOSFETs
  • Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
    Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
    Part Package Code TO-252 Package Description HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
    Pin Count 4 Reach Compliance Code not_compliant
    ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 24 Weeks, 4 Days
    Samacsys Manufacturer Vishay Avalanche Energy Rating (Eas) 7.2 mJ
    Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (ID) 8.2 A
    Drain-source On Resistance-Max 0.155 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95 Code TO-252 JESD-30 Code R-PSSO-G2
    Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
    Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
    Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
    Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
    Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type P-CHANNEL
    Power Dissipation-Max (Abs) 20.8 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18 A
    Surface Mount YES Terminal Finish Pure Matte Tin (Sn) - annealed
    Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
    Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30

    Versand

    Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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    2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

    Verpackung

    • Produkt

      Schritt1 :Produkt

    • Vakuumverpackung

      Schritt2 :Vakuumverpackung

    • Antistatikbeutel

      Schritt3 :Antistatikbeutel

    • Individuelle Verpackung

      Schritt4 :Individuelle Verpackung

    • Verpackungskartons

      Schritt5 :Verpackungskartons

    • Barcode-Versandetikett

      Schritt6 :Barcode-Versandetikett

    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

    Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

    Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

    • ESD
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    Teilpunkte

    • The SUD08P06-155L-GE3 is a high-voltage power MOSFET designed for use in various power applications such as power supplies and motor control. It features a low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-power applications. Additionally, this chip is designed for efficient switching performance and high reliability in demanding industrial environments.
    • Equivalent

      Some equivalent products to SUD08P06-155L-GE3 chip are STripFET VI DeepGATE 6 Power MOSFET, IRF7416TRPBF MOSFET, and IRF6658TRPBF MOSFET. These products have similar specifications and can be used as alternatives for the SUD08P06-155L-GE3 chip in various applications.
    • Features

      SUD08P06-155L-GE3 is a N-channel MOSFET with a low on-resistance of 8 mΩ, a high drain current rating of 155 A, and a low gate charge. It is suitable for high-power applications where efficiency and thermal performance are important.
    • Pinout

      The SUD08P06-155L-GE3 is a 8-pin power MOSFET transistor. It has a gate, source, and drain pin. The pin count refers to the total number of pins on the transistor. The function of the SUD08P06-155L-GE3 is to control the flow of current in a circuit.
    • Manufacturer

      SUD08P06-155L-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that specializes in manufacturing electronic components such as resistors, capacitors, and diodes. They provide solutions for a wide range of industries including automotive, medical, and telecommunications.
    • Application Field

      The SUD08P06-155L-GE3 is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and battery charging systems. It can also be found in automotive electronics, industrial control systems, and renewable energy systems due to its high efficiency and low on-resistance.
    • Package

      The SUD08P06-155L-GE3 is a PowerPAK SO-8 package type, with a form of surface mount, and a size of 5mm x 6mm.

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