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vishay SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SI3585CDV-T1-GE3

Datenblatt: SI3585CDV-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TSOP-6

Produktart: FET, MOSFET Arrays

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI3585CDV-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

The SI3585CDV-T1-GE3 comes in a compact MO-193AA package, making it easy to integrate into circuit boards with limited space. Additionally, this transistor is halogen-free and RoHS compliant, meeting the latest environmental standards for electronics manufacturing. The TSOP-6 configuration further enhances compatibility with modern PCB layouts, ensuring easy installation and reliable performance in a variety of applications

Funktionen

  • None
  • Anwendung

    Load Switch for Portable Devices |DC/DC Converters |Drivers: Motor, Solenoid, Relay

    Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
    RoHS: Details Technology: Si
    Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6
    Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel Number of Channels: 2 Channel
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Id - Continuous Drain Current: 2.1 A, 3.9 A
    Rds On - Drain-Source Resistance: 58 mOhms, 195 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 600 mV Qg - Gate Charge: 3.2 nC, 6 nC
    Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
    Pd - Power Dissipation: 1.3 W, 1.4 W Channel Mode: Enhancement
    Tradename: TrenchFET Series: SI3
    Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
    Configuration: Dual Fall Time: 9 ns, 28 ns
    Forward Transconductance - Min: 1 S, 12 S Height: 1.1 mm
    Length: 3.05 mm Product Type: MOSFET
    Rise Time: 16 ns, 37 ns Factory Pack Quantity: 3000
    Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time: 13 ns, 25 ns Typical Turn-On Delay Time: 15 ns, 16 ns
    Width: 1.65 mm Part # Aliases: SI3585CDV-GE3
    Unit Weight: 0.000705 oz

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    Verpackung

    • Produkt

      Schritt1 :Produkt

    • Vakuumverpackung

      Schritt2 :Vakuumverpackung

    • Antistatikbeutel

      Schritt3 :Antistatikbeutel

    • Individuelle Verpackung

      Schritt4 :Individuelle Verpackung

    • Verpackungskartons

      Schritt5 :Verpackungskartons

    • Barcode-Versandetikett

      Schritt6 :Barcode-Versandetikett

    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

    Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

    Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

    • ESD
    • ESD

    Teilpunkte

    • The SI3585CDV-T1-GE3 chip is a high-performance power management integrated circuit (PMIC) designed for use in portable electronic devices. It features multiple voltage regulators, power switches, and battery charging capabilities, making it an ideal solution for efficient power management in a variety of applications.
    • Equivalent

      Equivalent products to SI3585CDV-T1-GE3 include Infineon's BSC084N03LS G, Vishay's SiRA05DP, and ON Semiconductor's NTMFS4C05NT1G. These chips offer similar functionality and can serve as replacements in various applications requiring high-performance MOSFETs.
    • Features

      The SI3585CDV-T1-GE3 is a PMIC (Power Management Integrated Circuit) by Vishay. It features a buck-boost converter, low quiescent current, and a wide input voltage range suitable for various applications requiring efficient power management.
    • Pinout

      The SI3585CDV-T1-GE3 is a dual-channel low-side driver with a 10-lead DFN package. It has a pin count of 10 and is designed to drive resistive, capacitive, and inductive loads. It is commonly used in industrial, automotive, and consumer applications.
    • Manufacturer

      The SI3585CDV-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company specializing in semiconductor components and passive electronic components. Vishay is a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
    • Application Field

      The SI3585CDV-T1-GE3 is commonly used in battery management systems, power tools, and industrial automation applications. It is suitable for controlling and monitoring power systems, including battery charging and discharging, as well as motor control applications. Its high current handling capability and accurate voltage and current monitoring make it a versatile solution in various power management systems.
    • Package

      The SI3585CDV-T1-GE3 chip comes in a DFN-6 (2x2) package type, surface mount form, with a size of 2mm x 2mm.

    Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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