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BSM200GD60DLC 48HRS

39 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel, 226A I(C), 600V V(BR)CES, ECONO"

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSM200GD60DLC

Datenblatt: BSM200GD60DLC Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: EconoPACK 3A

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6572 Stück, Neues Original

Produktart: IGBT Modules

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $293,805 $293,805
30 $281,890 $8456,700

In Stock:6572 PCS

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BSM200GD60DLC Allgemeine Beschreibung

BSM200GD60DLC is a dual IGBT module developed by Infineon Technologies AG. It is optimized for industrial applications with high power requirements. The module features a half-bridge topology with a current rating of 200A and a voltage rating of 600V. BSM200GD60DLC is designed to operate at a wide temperature range, making it suitable for various industrial environments. It is equipped with a high-performance IGBT chip that ensures efficiency and reliability. The module also includes integrated freewheeling diodes, allowing for simpler circuit designs and reducing overall system costs.This module is compact and lightweight, making it easy to integrate into existing systems. It also features high power density, enabling it to deliver high power output in a small footprint. The BSM200GD60DLC is equipped with advanced protection features, such as overcurrent and overtemperature protection, ensuring the safety and longevity of the module.

Funktionen

  • High power module with 600V / 200A rating
  • Designed for industrial applications
  • Half-bridge configuration
  • Low thermal resistance
  • Low switching losses
  • Integrated gate driver with under-voltage protection
  • Soft punching IGBT technology
  • Optimized for high efficiency and reliability

Anwendung

  • Wind turbines
  • Solar power inverters
  • Industrial drives
  • Uninterruptible power supplies (UPS)
  • Electric vehicles
  • Renewable energy systems
  • Power factor correction
  • Motor control
  • Electric grid stabilization
  • Energy storage systems

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category IGBT Modules RoHS N
Product IGBT Silicon Modules Configuration Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Continuous Collector Current at 25 C 226 A Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Pd - Power Dissipation 700 W Package / Case EconoPACK 3A
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 125 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 122 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 62 mm
Part # Aliases SP000100395 BSM200GD60DLCBOSA1

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSM200GD60DLC chip is an IGBT module designed for high power applications such as motor drives and inverters. It has a maximum voltage rating of 600V and a current rating of 200A. The chip features low on-state voltage drop, high short circuit capability, and fast switching speed. It also incorporates advanced thermal design and protection features for efficient and reliable operation.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSM200GD60DLC chip are the BSM200GD60DLCK and the BSM200GD60DLCP, which are also IGBT modules.
  • Features

    The main features of BSM200GD60DLC are dual IGBT modules, with a current rating of 200A and a voltage rating of 600V. It has low saturation voltage and low switching loss, making it suitable for various power electronic applications such as motor drives, inverters, and UPS systems.
  • Pinout

    The BSM200GD60DLC is a dual IGBT module with a pin count of 19. Its main function is to control the power flow between a high-voltage DC bus and a three-phase motor. The module is commonly used in applications such as electric vehicles, industrial drives, and renewable energy systems.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSM200GD60DLC is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors and system solutions for various industries, including automotive, industrial, and renewable energy.
  • Application Field

    The BSM200GD60DLC is a module designed for a wide range of applications such as motor control in industrial automation, robotics, power supplies, solar inverters, and renewable energy systems. Its high power density, low thermal resistance, and high current capability make it suitable for demanding applications that require efficient and reliable power conversion.
  • Package

    The BSM200GD60DLC chip has a package type of module, a form of six-pack, and a size of compact.

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