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vishay SI1012CR-T1-GE3
MOSFET, N CH, W/D, 20V, 0.5A, SC75A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI1012CR-T1-GE3
Datenblatt: SI1012CR-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-75
RoHS-Status:
Lagerzustand: 29.711 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,074 | $0,370 |
| 50 | $0,065 | $3,250 |
| 150 | $0,061 | $9,150 |
| 500 | $0,057 | $28,500 |
| 3000 | $0,054 | $162,000 |
| 6000 | $0,052 | $312,000 |
Auf Lager: 29.711 Stck
SI1012CR-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
MOSFET, N CH, W/D, 20V, 0.5A, SC75A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:630mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:240mW; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SC-75A; No. of Pins:3; MSL:-; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-75-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 600 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 396 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 1.3 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 240 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI1 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.5 S | Height | 0.8 mm |
| Length | 1.575 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 16 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns | Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Width | 0.76 mm | Part # Aliases | SI1012CR-GE3 |
| Unit Weight | 0.000071 oz |
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI1012CR-T1-GE3 chip is a high-performance power amplifier designed for use in cellular communication devices. It offers excellent efficiency, low power consumption, and high linearity to ensure high-quality signal transmission. With its compact size and advanced technology, it is an ideal choice for mobile devices and other wireless communication applications.
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Features
SI1012CR-T1-GE3 is a MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It has a low on-resistance, allowing for efficient power management. The device operates at a low voltage with a small footprint, making it suitable for compact electronic circuits. It also offers excellent thermal performance, ensuring reliable operation under various conditions. -
Pinout
The SI1012CR-T1-GE3 has a pin count of 6. It is a single-channel P-Channel MOSFET used for low-side switching applications in portable devices. -
Manufacturer
Vishay Intertechnology is the manufacturer of SI1012CR-T1-GE3. It is a global supplier of electronic components and semiconductors. -
Application Field
The SI1012CR-T1-GE3 is a low threshold voltage MOSFET that is commonly used in applications requiring low switch-on resistance and high efficiency, such as power management in portable devices, battery-powered systems, and other low voltage applications. -
Package
The SI1012CR-T1-GE3 chip is available in a SC-70-6 package type, with a form factor of 2x2.2x1.1 mm.
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