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$5000vishay SI7489DP-T1-E3
SI7489DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor designed to handle up to 28 A of current and up to 100 V of voltage
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI7489DP-T1-E3
Datenblatt: SI7489DP-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-SO-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.000 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI7489DP-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Funktionen
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 83W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Mfr
Vishay Siliconix
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
FET Type
P-Channel
Category
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | TrenchFET | feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 100 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 28 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 41@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 106@10V|[email protected] | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 106 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 4600@50V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 5200 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 8 | |
| feature-supplier-package | PowerPAK SO | feature-standard-package-name | |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-eccn-code | EAR99 | |
| feature-svhc | No | feature-svhc-exceeds-threshold | No |
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 83W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI7489DP-T1-E3 chip is an electronic component developed by vishay siliconix. it is designed for power management applications and features a high-side load switch with overcurrent protection. the chip offers a low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for various power control tasks in automotive, industrial, and consumer electronics.
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Features
The SI7489DP-T1-E3 is a dual n-channel 30 v (d-s) mosfet designed for use in power management applications. it features low on-resistance, fast switching speed, and a small sot-363 package for space-constrained designs. additionally, it has a logic-level gate drive, making it compatible with low-voltage control signals. -
Pinout
The SI7489DP-T1-E3 is a dual n-channel mosfet. it has an 8-pin package, with the following pin configuration: 1 - source 1, 2 - drain 1, 3 - gate 1, 4 - nc, 5 - source 2, 6 - drain 2, 7 - gate 2, 8 - nc. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7489DP-T1-E3 is vishay siliconix. vishay siliconix is a company that specializes in the design, manufacture, and distribution of power and small-signal discrete semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
The SI7489DP-T1-E3 is a voltage level translator ic. it can be used in various applications where voltage translation is required between different logic levels, such as communication interfaces, data converters, memory modules, and other digital systems.
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