NXP MRF6VP2600H
NXP Semiconductors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V
Marken: Nxp
Herstellerteil #: MRF6VP2600H
Datenblatt: MRF6VP2600H Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SMD
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2527 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMOvaga hat einen großen Vorrat an MRF6VP2600H Transistoren von Nxp und wir garantieren, dass es sich um originale, brandneue Teile handelt, die direkt bezogen wurden von Nxp Wir können Qualitätsprüfberichte für bereitstellen MRF6VP2600H auf Ihre Anfrage hin. Um ein Angebot zu erhalten, geben Sie einfach die erforderliche Menge, den Kontaktnamen und die E-Mail-Adresse in das Schnellangebotsformular auf der rechten Seite ein. Unser Vertriebsmitarbeiter wird sich innerhalb von 12 Stunden mit Ihnen in Verbindung setzen.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Product Category | NXP Semiconductors |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlung
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MRF6VP2600H chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial, scientific, and medical applications. It operates at 2600 MHz and provides a output power of up to 600 watts. This chip incorporates high voltage MOSFET and is optimized for ruggedness, durability, and high linearity. It is commonly used in telecommunications, radar systems, and other high-power RF applications.
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Equivalent
The equivalent products of the MRF6VP2600H chip are the MRF6VP2600HR5 and MRF6VP2600HSR5. -
Features
The MRF6VP2600H is a high-frequency RF power transistor with a frequency range of 1.8 to 600 MHz. It has a maximum power output of 2600 watts, high gain, and excellent thermal stability. It is suitable for use in applications such as broadcast, industrial, and scientific markets. -
Pinout
The MRF6VP2600H is a high-power RF transistor with a pin count of 4, consisting of Source, Gate, Drain, and Case pins. The function is to amplify RF signals at high power levels, typically used in applications such as amateur radio, broadcast, and industrial equipment. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF6VP2600H is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that provides solutions for automotive, industrial, and Internet of Things (IoT) applications. -
Application Field
The MRF6VP2600H is a high-power RF MOSFET transistor designed for use in a variety of applications, including industrial, scientific, medical, broadcast, and aerospace systems. It can be used in RF power amplifiers, radio transmitters, radar systems, and other high-power RF applications that require excellent linearity and high gain. -
Package
The MRF6VP2600H chip is packaged in a NI-1230H-4 package, which is a high power ceramic/metal flange package. Its form factor is a metal-ceramic pill and it has a size of 76.77mm (L) x 39.62mm (W) x 10mm (H).
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