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NXP MRF6VP2600H

NXP Semiconductors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Nxp

Herstellerteil #: MRF6VP2600H

Datenblatt: MRF6VP2600H Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SMD

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2527 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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mrf6vp2600h
mrf6vp2600h

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category NXP Semiconductors

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Zahlung

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MRF6VP2600H chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial, scientific, and medical applications. It operates at 2600 MHz and provides a output power of up to 600 watts. This chip incorporates high voltage MOSFET and is optimized for ruggedness, durability, and high linearity. It is commonly used in telecommunications, radar systems, and other high-power RF applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the MRF6VP2600H chip are the MRF6VP2600HR5 and MRF6VP2600HSR5.
  • Features

    The MRF6VP2600H is a high-frequency RF power transistor with a frequency range of 1.8 to 600 MHz. It has a maximum power output of 2600 watts, high gain, and excellent thermal stability. It is suitable for use in applications such as broadcast, industrial, and scientific markets.
  • Pinout

    The MRF6VP2600H is a high-power RF transistor with a pin count of 4, consisting of Source, Gate, Drain, and Case pins. The function is to amplify RF signals at high power levels, typically used in applications such as amateur radio, broadcast, and industrial equipment.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MRF6VP2600H is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that provides solutions for automotive, industrial, and Internet of Things (IoT) applications.
  • Application Field

    The MRF6VP2600H is a high-power RF MOSFET transistor designed for use in a variety of applications, including industrial, scientific, medical, broadcast, and aerospace systems. It can be used in RF power amplifiers, radio transmitters, radar systems, and other high-power RF applications that require excellent linearity and high gain.
  • Package

    The MRF6VP2600H chip is packaged in a NI-1230H-4 package, which is a high power ceramic/metal flange package. Its form factor is a metal-ceramic pill and it has a size of 76.77mm (L) x 39.62mm (W) x 10mm (H).

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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